Компактное моделирование тока стока органического полевого транзистора с корректным учётом ненулевой выходной проводимости в режиме насыщения

Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.

Подобные документы

  • Модель преобразователя пространства состояний в преобразователях постоянного тока в режиме прерывистой проводимости. Метод моделирования и процедуры для проектирования широтно-импульсной модуляции. Закон управления, использующий функцию переключения.

    реферат, добавлен 26.07.2015

  • Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Причины формирования аномально высоких значений потерь в стали в режиме глубокого насыщения. Математическая модель формирования потерь в стали, которая отличается учетом временного запаздывания индуктивности от тока намагничивания. Определение потерь.

    статья, добавлен 20.03.2016

  • Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.

    контрольная работа, добавлен 20.09.2014

  • Использование квадратичной модели прибора для анализа цепи с МОП-транзисторами. Возникновение режима насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом, его характеристика. Сопротивление резистора в цепи стока. Сопротивление эквивалентного резистора.

    лекция, добавлен 03.03.2017

  • Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.

    статья, добавлен 20.07.2018

  • Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

  • Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.

    статья, добавлен 26.10.2016

  • Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.

    контрольная работа, добавлен 23.03.2022

  • Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).

    реферат, добавлен 21.10.2017

  • Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Особенности расчета тока при прямом смещении, в предположении что доминирует диффузионная компонента тока. Носители, электроны и дырки, которые преобладают в данном токе. Основные методы удвоения тока. Ключевые показатели для насыщения тока канала.

    курсовая работа, добавлен 06.10.2017

  • Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.

    статья, добавлен 21.06.2018

  • Выражение напряженности электрического поля через плотность тока и концентрации. Использование уравнений для плотности тока в трехмерном случае. Уравнение для векторного потенциала плотности тока для бинарного электролита к задачам с осевой симметрией.

    статья, добавлен 19.05.2017

  • Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.

    реферат, добавлен 23.05.2015

  • Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 03.10.2017

  • Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.

    презентация, добавлен 21.06.2016

  • Изучение особенностей электрической цепи синусоидального тока и ее схемы. Исследование закономерностей тока напряжения при последовательном соединении. Характеристика комплексной проводимости как отношения комплексного тока к комплексному напряжению.

    лекция, добавлен 26.09.2017

  • Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Обоснование и применение математического обеспечения, позволяющего определить размахи отклонений тока якорной цепи электродвигателя и отклонений угловой скорости электропривода постоянного тока с тиристорным преобразователем в режиме непрерывных токов.

    статья, добавлен 29.04.2017

  • Особенности работы контактов в режиме протекания тока короткого замыкания. Конструкции твёрдометаллических контактов, их работа и износ. Нагрев контактов в режиме длительного протекания номинального тока. Основные материалы электрических контактов.

    учебное пособие, добавлен 23.06.2013

  • Зависимость параметров разветвленной цепи переменного тока от частоты. Комплексная, полная, активная и реактивная проводимости. Активная составляющая тока. Особенности контура с малыми потерями при резонансе токов. Закон Ома для цепи переменного тока.

    лабораторная работа, добавлен 17.06.2013

  • Влияние напряжённости поперечного электрического поля затворов полевого датчика Холла. Ступенчатые скачки тока на вольт-амперной характеристике в режиме лавинного умножения носителя. Физические принципы схемотехнических способов измерения магнитных полей.

    автореферат, добавлен 29.10.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.