Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и циркония
Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
Подобные документы
Особенности и способы построения схем транзисторных усилителей. Характеристика схемы резистивного каскада с фиксированным напряжением смещения. Усилитель как электронное устройство, управляющее энергией, поступающей от источника питания к нагрузке.
контрольная работа, добавлен 07.12.2012Схема резистивного усилительного каскада с общим эмиттером и питанием от одного источника. Дестабилизирующие факторы, нарушающие устойчивую работу транзистора. Определение коэффициента нелинейных искажений усилителя, позиционные обозначения элементов.
практическая работа, добавлен 16.11.2010Эволюция пунктов переключения в резервные самоспасатели. Анализ влияния расширения их функциональных возможностей на безопасность горняков при возникновении подземных аварий, создающих не пригодную для дыхания среду. Конструкция аудиовидеосигнализации.
статья, добавлен 23.01.2013Структурная схема машинно-тракторного агрегата, который оборудован системой автоматического переключения передач. Характеристика основных амплитудных, фазовых частотных характеристик и определение передаточной функции датчика следящего устройства.
статья, добавлен 29.09.2019Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
курсовая работа, добавлен 19.07.2010Нетактируемые и тактируемые триггеры. Время переключения триггера. Поступление сигнала на синхронизирующий вход. Статические и динамические синхронизирующие входы триггера. Автоматическая смена уровня потенциала на входе. Конструкция триггер Шмитта.
реферат, добавлен 01.12.2015Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Использование эффекта значительного увеличения входного сопротивления усилителя для получения большого сопротивления. Оценка эффекта компенсации емкости соединительного кабеля при использовании усилителя. Измерение выходного напряжения милливольтметром.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Конструктивно-технологічна оптимізація формування локальних тривимірних структур "кремнiй-на-iзоляторi". Розробка уніфікованого чутливого елемента ємнісно-резистивного типу з частотним виходом і керованою чутливістю для мікросистемних використань.
автореферат, добавлен 14.07.2015Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Микросхемы флэш-памяти объемом 4 Гбайта, используемые в качестве энергонезависимой памяти в бытовых, промышленных и компьютерных устройствах. Заявленная и фактическая ёмкость, разрядность микросхемы, ввод/вывод и хранение данных в flash-памяти Samsung.
контрольная работа, добавлен 30.08.2012Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
реферат, добавлен 22.08.2015Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Разработка структурной схемы микропроцессорной системы на основе процессора Intel 8086, работающей в минимальном режиме. Создание функциональных схем модулей памяти и портов ввода/вывода; расчет адресного пространства. Алгоритм функционирования системы.
курсовая работа, добавлен 10.06.2013Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.
статья, добавлен 22.03.2018Сравнительный анализ высокопроизводительной вычислительной наноэлектроники. Особенности короткоканального эффекта. Исследование одноэлектронной памяти. Рассмотрение целостности оксидной плёнки. Характеристика принципиальных одноэлектронных приборов.
статья, добавлен 26.04.2014Создание электрической схемы компаратора с параметрами ширин транзисторов 3-х каскадов. Её моделирование для получения порога и задержек срабатывания. Определение задержек переключения выходных значений при переключении тактовых сигналов на входе.
лабораторная работа, добавлен 07.04.2020Перспективы внедрения разнообразных технологий и протоколов передачи данных, в том числе и в сетях связи силовых структур. Применение интегрированных решений на основе универсальных телекоммуникационных платформ. Анализ рынка коммутационного оборудования.
статья, добавлен 15.08.2020Исследование эффекта генерации второй гармоники в нелинейном резонаторе, сформированном внутри электромагнитного кристалла. Выполнение кристалла в виде периодической решетки металлических цилиндров с нелинейными емкостями, расположенными в волноводе.
статья, добавлен 05.11.2018Зависимость параметров сенсорного экрана от отдельных элементов датчика. Разработка метода определения однородности состава напыленного на панель резистивного слоя. Моделирование процессов работы аналоговой части сенсорного экрана, параметры его работы.
автореферат, добавлен 31.07.2018Исследование современных проблем измерения скорости планерной составляющей цели при наличии турбовинтового эффекта отраженного сигнала в импульсно-доплеровской РЛС. Разработка модели турбовинтовой составляющей сигнала, описание алгоритма его подавления.
статья, добавлен 11.01.2018Использование автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. Исследования эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна. Компьютерное моделирование работы автодина.
дипломная работа, добавлен 18.10.2011Классификация автогенераторов (АГ) электромагнитных колебаний синусоидальной формы, выбор его электросхемы и усилителя. Расчет элементов схемы АГ с заданными параметрами: резистивного усилителя с фиксированным током базы, колебательного контура.
курсовая работа, добавлен 04.01.2016- 24. Арсенид галлия
Основные свойства арсенида галлия, его кристаллическая структура. Выращивание кристаллов методом Бриджмена. Биполярные и полевые транзисторы, принципы их работы и технологии изготовления. Приборы, работающие на основе квантового размерного эффекта.
курсовая работа, добавлен 20.04.2018 Особенности эффекта Фарадея в повороте плоскости поляризации линейно поляризованного света. Фактор "вмороженности" магнитных силовых линий в доменные структуры цилиндрического постоянного магнита. Анализ оптически прозрачного ферромагнитного стержня.
доклад, добавлен 16.02.2014