Расчет электрофизических параметров арсенида галлия
Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
Подобные документы
Основные свойства арсенида галлия, его кристаллическая структура. Выращивание кристаллов методом Бриджмена. Биполярные и полевые транзисторы, принципы их работы и технологии изготовления. Приборы, работающие на основе квантового размерного эффекта.
курсовая работа, добавлен 20.04.2018Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018- 10. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017- 12. Оптический измеритель концентрации метана с аппаратно-программной компенсацией температурного дрейфа
Пути повышения точности определения концентрации метана в условиях угольных шахт. Разработка экспериментального образца измерителя концентрации. Построение зависимости температурного дрейфа напряжения на светодиодах. Учет запыленности оптических каналов.
статья, добавлен 25.11.2016 Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Расчет простой электрической цепи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера и методом обращения матрицы. Определение достоверности значения токов. Расчет и построение графиков АЧХ и ФЧХ и определение их характеристик.
курсовая работа, добавлен 22.06.2015Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Расчет первичных параметров передачи цепи коаксиального кабеля. Определение вторичных параметров на пяти разных частотах. Скорость распространения электромагнитной энергии. Значение сопротивления цепи при наличии поверх экрана изолирующего покрытия.
контрольная работа, добавлен 26.02.2014Определение параметров трансформатора. Расчет индуктивности уравнительных реакторов. Построение регулировочных характеристик. Расчет параметров цепи якоря. Граница устойчивого инвертирования. Мощность, потребляемая тиристорным преобразователем из сети.
курсовая работа, добавлен 23.06.2012Расчет в заданном диапазоне частот первичных и вторичных параметров коаксиального кабеля; определение вторичных параметров взаимного влияния на его строительной длине; построение графиков частотной зависимости. Расчет параметров оптического кабеля связи.
контрольная работа, добавлен 30.03.2013Вычисление параметров термометра сопротивления по теоретическим зависимостям. Построение графиков изменения погрешностей в функции температуры. Расчет величины сопротивления шунтирующего элемента. Определение характеристики корректированного термистора.
контрольная работа, добавлен 13.01.2016Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Проектирование электронных схем. Данные для параметров линейной цепи и параметров входных сигналов. Построение входного сигнала в среде MatLaB. Расчет выходного сигнала операционным и частотным методами. Особенности расчета цепи методом контурных токов.
курсовая работа, добавлен 05.06.2013Расчет дискретного силового тиристора. Расчет параметров конструкции тиристора. Расчет диаметра тиристорного элемента и выбор конструкции корпуса. Расчет основных параметров тиристоров. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
курсовая работа, добавлен 29.09.2017