Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі

Розробка та дослідження нових кристалоквазіхімічних рівнянь дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- i p- типу провідності, на основі яких розрахування зміни концентрації точкових дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.