Основные сведения по физике полупроводников
Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
Подобные документы
Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015- 10. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015- 16. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Исследование рассеяния излучения легированным кристаллическим германием в спектральном диапазоне 2,3-25,0 мкм. Зависимость величины рассеяния от вида легирующего компонента. Процессы генерации, диффузионного переноса и рекомбинации носителей заряда.
статья, добавлен 30.11.2018Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018Изучение эффекта Холла и возникновения магнитосопротивления. Расчет абсолютной ошибки концентрации примесей. Нахождение относительной погрешности сопротивления образца в магнитном поле. Анализ зависимости подвижности носителей заряда от температуры.
отчет по практике, добавлен 10.05.2018