Радиационная стойкость кремния, легированного германием, с высокой концентрацией свободного кислорода
Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
Подобные документы
Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Определение понятия эпитаксии. Ознакомление с методами определения эпитаксиальных слоев. Рассмотрение преимуществ Фурье-спектрометрии. Изучение спектральной зависимости показателя преломления кремния с различной концентрацией свободных носителей.
курсовая работа, добавлен 28.03.2023Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014- 6. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора
Исследование термической стабильности кластеров и точечных дефектов в n-Si, выращенном методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора. Процесс аннигиляции вакансионного типа дефектов кластеров с межузельными атомами кремния.
статья, добавлен 07.10.2013 Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
статья, добавлен 22.06.2015Изучение кинетики анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах. Анализ степени влияния связных добавок на состав, строение и свойства пленок анода диоксида силиция. Создание элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.
автореферат, добавлен 15.11.2015Анализ данных по примесному составу слитков мультикремния, выращенных при разных скоростных и тепловых режимах. Выявление разновидностей протяженных дефектов в мультикремнии методами селективного травления и разных видов микроскопии травления.
автореферат, добавлен 26.07.2018Открытие учеными импульсного наносекундного лазерного отжига, протекающего с образованием жидкой фазы в приповерхностном слое полупроводниковой структуры. Новые методы импульсного отжига в зависимости от вида профиля распределения температуры пластины.
реферат, добавлен 22.11.2014Установление закономерностей образования электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами различных редкоземельных элементов. Изучение возможностей повышения концентрации донорных центров и разработка модели их образования.
автореферат, добавлен 31.07.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Исследование влияния эффектов радиационного повреждения сцинтилляционных кристаллов на параметры детекторов каскадных ливней. Анализ методов восстановления оптического пропускания кристаллов на основе оптического облучения и низкотемпературного отжига.
автореферат, добавлен 29.03.2018Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017- 18. Влияние режима отжига и охлаждения на значение начальной магнитной проницаемости пермаллоя 81 нма
Эксперименты по термообработке сердечников сверхминиатюрных вихретоковых преобразователей из сплава 81 НМА. Разработка методик обработки сплава с нагреванием и охлаждением образцов. Режимы термообработки с целью повышения значения магнитной проницаемости.
статья, добавлен 30.07.2018 - 19. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018Сравнительный анализ экспериментальных данных о концентрации, сечении захвата и типе ловушек в CdTe:Cl. Влияние радиационных дефектов, возникших под воздействием рентгеновского облучения, на электрофизические и детекторные свойства теллурида кадмия.
статья, добавлен 27.07.2016Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018