Гетеропереходы и гетероструктуры

Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.

Подобные документы

  • Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.

    реферат, добавлен 01.08.2009

  • Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.

    реферат, добавлен 30.10.2014

  • Необходимость исследования сильно неравновесных состояний, применение их результатов. Природа и условия возникновения самоорганизованных структур. Пространственная и временная самоорганизация в твердом теле после облучения ионными потоками и лазером.

    статья, добавлен 05.11.2012

  • Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.

    курсовая работа, добавлен 18.02.2016

  • Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.

    учебное пособие, добавлен 12.05.2014

  • Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.

    автореферат, добавлен 27.08.2014

  • Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.

    книга, добавлен 07.08.2013

  • Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.

    дипломная работа, добавлен 14.09.2018

  • Распределение частиц газа по скоростям согласно Максвеллу-Больцману. Распределение электронов проводимости в твердом теле. Схема энергетических зон для электронов в проводниках. Определение отклонения носителей тока в твердом теле магнитным полем.

    реферат, добавлен 24.11.2014

  • Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.

    статья, добавлен 18.09.2018

  • Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.

    статья, добавлен 20.09.2018

  • Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.

    автореферат, добавлен 23.05.2018

  • Общее понятие об электрическом заряде. Дискретный ряд разрешенных энергий, с которыми могут существовать электроны в атоме. Заряженные частицы в твердом теле. Функция распределения Ферми-Дирака. Определение концентрации электронов в зоне проводимости.

    лекция, добавлен 27.09.2017

  • Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.

    реферат, добавлен 01.08.2009

  • Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.

    реферат, добавлен 22.04.2014

  • Распространение упругих волн в твердом теле, их скорость. Второй закон Ньютона для отрезка стержня. Скорость звука в газах. Закон Ньютона для малого объема газа. Уравнение непрерывности (сохранения массы). Волновое уравнение для переменной плотности.

    лекция, добавлен 29.09.2014

  • Анализ совокупности экспериментальной информации об электроне и протоне. Работа закона сохранения кинетического момента при формировании структур фотонов всех диапазонов излучения. Исследование дифракционных картин формируемых фотонами и электронами.

    статья, добавлен 04.02.2019

  • Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.

    контрольная работа, добавлен 16.10.2014

  • Свойства лазерного луча, принцип действия полупроводникового, химического, жидкостного лазеров и лазера на красителях. Применение лазерного луча в промышленности, технике и медицине. Возникновение и применение голографии, способы голографирования.

    курсовая работа, добавлен 20.12.2017

  • Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.

    автореферат, добавлен 30.10.2015

  • Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

    реферат, добавлен 07.07.2016

  • Применение металлических экранов в слоистых структурах и управление местоположением областей модуляционной неустойчивости за счет изменения расстояния между пленками и способа возбуждения структуры. Связанные и параметрические колебания в электронике.

    статья, добавлен 07.11.2018

  • Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.

    автореферат, добавлен 29.07.2014

  • Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

    реферат, добавлен 11.12.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.