Гетеропереходы и гетероструктуры
Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
Подобные документы
Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Необходимость исследования сильно неравновесных состояний, применение их результатов. Природа и условия возникновения самоорганизованных структур. Пространственная и временная самоорганизация в твердом теле после облучения ионными потоками и лазером.
статья, добавлен 05.11.2012Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Распределение частиц газа по скоростям согласно Максвеллу-Больцману. Распределение электронов проводимости в твердом теле. Схема энергетических зон для электронов в проводниках. Определение отклонения носителей тока в твердом теле магнитным полем.
реферат, добавлен 24.11.2014Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.
статья, добавлен 20.09.2018Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Общее понятие об электрическом заряде. Дискретный ряд разрешенных энергий, с которыми могут существовать электроны в атоме. Заряженные частицы в твердом теле. Функция распределения Ферми-Дирака. Определение концентрации электронов в зоне проводимости.
лекция, добавлен 27.09.2017Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Распространение упругих волн в твердом теле, их скорость. Второй закон Ньютона для отрезка стержня. Скорость звука в газах. Закон Ньютона для малого объема газа. Уравнение непрерывности (сохранения массы). Волновое уравнение для переменной плотности.
лекция, добавлен 29.09.2014Анализ совокупности экспериментальной информации об электроне и протоне. Работа закона сохранения кинетического момента при формировании структур фотонов всех диапазонов излучения. Исследование дифракционных картин формируемых фотонами и электронами.
статья, добавлен 04.02.2019Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Свойства лазерного луча, принцип действия полупроводникового, химического, жидкостного лазеров и лазера на красителях. Применение лазерного луча в промышленности, технике и медицине. Возникновение и применение голографии, способы голографирования.
курсовая работа, добавлен 20.12.2017Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Применение металлических экранов в слоистых структурах и управление местоположением областей модуляционной неустойчивости за счет изменения расстояния между пленками и способа возбуждения структуры. Связанные и параметрические колебания в электронике.
статья, добавлен 07.11.2018Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011