Напівпровідникові з’єднання типу A4B6
Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
Подобные документы
Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Розробка методів збільшення виходу монокристалів твердих розчинів запланованого складу з метою зменшення вартості матеріалів, вирощених методом зонної плавки. Закономірності змін параметрів енергетичного спектра багатокомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 4. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з трансформаторним зв’язком між фазами. Електромагнітна сумісність цих перетворювачів з мережею живлення. Огляд алгоритму керування цим зв’язком і математичних моделей перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015- 10. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Формулювання та апробація можливих способів діагностування та класифікації станів перетворювачів за вейвлет-спектрами струмів та напруг. Розробка та впровадження в промислову сферу мікропроцесорних систем діагностики напівпровідникових перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Перехід промисловості на сучасну елементну базу. Динаміка напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Взаємозв'язок між різними змінними кола через відображення на комплексну площину. Природна комутація вентилів. Годограф перехідного процесу.
автореферат, добавлен 23.02.2014Розробка методу аналізу електромагнітних процесів в напівпровідникових перетворювачах електричної енергії, який має меншу трудомісткість та підвищену швидкодію у порівнянні з існуючими методами. Введення типу часових характеристик електричного ланцюга.
автореферат, добавлен 12.07.2015- 13. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021- 16. Теоретичні основи і методи регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електроенергії
Розробка теоретичних основ і ефективних методів регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електричної енергії із широтно-імпульсною модуляцією другого роду. Розробка методів зменшення впливу замкнутої структури регулювання субгармонік.
автореферат, добавлен 27.04.2014 Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Розробка і дослідження способів побудови інтегральних силових модулів, адаптованих до різних умов застосування, зміни параметрів зовнішніх ланцюгів і частоти комутації. Створення імпульсних напівпровідникових перетворювачів малої та середньої потужності.
автореферат, добавлен 22.06.2014Розробка методів ідентифікації параметрів силової схеми та навантаження напівпровідникових перетворювачів частот. Дослідження аварійних режимів роботи напівпровідникових перетворювачів частоти та розробка методів діагностування їхніх несправностей.
автореферат, добавлен 11.08.2014Методика розрахунку зонної структури та встановлення повної діаграми дисперсії енергетичних зон. Визначення рівноважних параметрів основного стану та атомних показників броміду індію. Аналіз спектрів діелектричних функцій експериментальних оптимумів.
автореферат, добавлен 28.06.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 23. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014На основі аналізу електродних процесів розробка енергозберігаючих способів заряду акумуляторів імпульсними асиметричними струмами, схем напівпровідникових перетворювачів з підвищеною ефективністю заряду і способів адаптивного керування перетворювачами.
автореферат, добавлен 26.02.2015