Влияние электрического поля контакта с барьером Шоттки на перераспределение примесных атомов в полупроводнике
Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
Подобные документы
Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
статья, добавлен 08.02.2017Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Исследование влияния слабого электрического поля на когерентный двухфотонный резонанс 2S-nD методом регистрации падения флюоресценции атомов Li в магнитооптической ловушке. Превращение линии под действием лабого нескомпенсированного электрического поля.
статья, добавлен 29.04.2019Вольт-ваттная чувствительность как одна из основных характеристик детекторов электромагнитного излучения на основе контакта металл-полуметалл BiSb (сплав висмута с сурьмой). Исследование потоков распределения поля в объеме полуметаллического кристалла.
статья, добавлен 23.10.2010Приближенные выражения для нестационарных волновых функций, описывающих движение частиц под прямоугольным потенциальным барьером, и их основных параметров. Приближенное представление подбарьерных компонент. Решения нестационарного уравнения Шредингера.
статья, добавлен 03.10.2013Применение локально-неравновесной теории с учетом пространственно-временной нелокальности для распределения примесных атомов в приповерхностных слоях бинарных систем после высокоскоростного затвердевания расплава. Движение плоского фронта кристаллизации.
статья, добавлен 21.06.2018Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009- 11. Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT
Наноструктурированный AlN – полупроводник с широкой энергетической щелью. Объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике. Экспериментальное значение Фурье-трансформанты. Анализ зарядовых состояний атомов по Бейдеру.
статья, добавлен 30.05.2017 Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Влияние наноразмерных легирующих химических элементов и их количества на механические свойства, на критическую температуру охрупчивания сплавов. Их размер и количественное содержание как решающие факторы в служебных свойствах неорганических материалов.
статья, добавлен 06.05.2018Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Большая продолжительность воздействия электрического поля на жидкий диэлектрик. Величинп напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика. Влияние электрического поля на электропроводность полупроводников. Магнитные потери, причины их возникновения.
контрольная работа, добавлен 06.01.2016Решение уравнения Шредингера для идеального кристалла. Причины возникновения проводимости в собственном полупроводнике. Концентрация электронов и дырок в зонах. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике. Электрон в идеальном кристалле.
курсовая работа, добавлен 19.11.2017Понятие, исторический аспект и этапы развития криогенной электроники. Анализ основных направлений криоэлектроники. Проблема создания и перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017Разработка и изготовление экспериментального стенда для изучения горения жидких топлив. Экспериментальное исследование распределения потенциалов и температур в пламени и расчет формы факела. Влияние электростатического поля на скорость горения жидкости.
автореферат, добавлен 28.03.2018Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Оптическая генерация акустического поля в жидкой среде в присутствии наноразмерных объектов, углеродных наноматериалов. Формирование поля оптическим импульсом в жидкой среде и самими углеродными наночастицами. Генерирование суммарного акустического поля.
статья, добавлен 29.05.2017Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014