Технологический процесс изготовления полупроводниковой микросхемы с использованием эпитаксиально-планарной технологии
Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
Подобные документы
Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013Подходы к применению приборно-технологического моделирования маршрутов. Спектр задач моделирования маршрутов изготовления, модели активных и пассивных элементов. Конструктивно-технологический вариант устройства и изготовление партий микросхемы КР1446ХК1.
дипломная работа, добавлен 14.06.2012Описание технологии изготовления микросхемы операционного усилителя. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 22.03.2018Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Назначение корпуса интегральной микросхемы (ИМС). Выводы корпусов ИМС, особенности их монтажа. Схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, ее зависимость от конструкции платы и компоновки на ней элементов. Бескорпусные и корпусные микросхемы.
отчет по практике, добавлен 19.12.2016Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2013Особенности асинхронных счетчиков и разработка алгоритма работы микросхемы (описание и блок-схема). Временные диаграммы работы микросхемы и функциональная схема устройства. Условно-графическое обозначение и технические характеристики микросхемы.
реферат, добавлен 18.12.2014Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Устройство для оперативной проверки работоспособности интегральной микросхемы (ИМС) по принципу "годен" - "не годен". Микропроцессорный контроллер для тестирования ИМС. Выбор микропроцессора и элементов схемы. Подпрограмма тестирования микросхемы.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Внедрение новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы как самые массовые изделия современной микроэлектроники: общие сведения, особенности процесса сборки интегральных схем (пайка, сварка, приклеивание, присоединение и герметизация).
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Изучение работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1, основных особенностей ее применения. Характеристика возможных режимов работы микросхемы, способа управления по току и компенсации наклона кривой тока.
статья, добавлен 29.06.2017Понятие и назначение интегральной микросхемы и история ее создания. Строение и классификация цифровых интегральных микросхем. Разновидности технологии изготовления интегральных микросхем и методы технологического контроля их качества при производстве.
курсовая работа, добавлен 04.09.2014Описание блока и характеристика его как объекта производства, технологическая подготовка производства. Технологический анализ конструкции блока и оценка технологичности, разработка средств автоматизации при производстве, процесс изготовления детали.
курсовая работа, добавлен 10.06.2009Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Выбор принципа конструирования. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений. Технологический процесс изготовления платы комбинированным позитивным методом, гальваническая металлизация. Анализ технологичности конструкции изделия.
курсовая работа, добавлен 28.10.2011Разработка синхронной схемы и триггерного устройства. Схема счетчика реализованного на Т–триггерах. Листинг программы работы схемы на языке С++. Проектирование интегральной микросхемы, выполняющей заданные функции преобразования цифровой информации.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Выбор основных программных и технических средств интернет-подсистемы. Разработка методики, а также программного и алгоритмического обеспечения обучающей подсистемы. Технологический процесс изготовления приборов и эпитаксиально-планарного транзистора.
дипломная работа, добавлен 12.02.2015Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Микросхемы флэш-памяти объемом 4 Гбайта, используемые в качестве энергонезависимой памяти в бытовых, промышленных и компьютерных устройствах. Заявленная и фактическая ёмкость, разрядность микросхемы, ввод/вывод и хранение данных в flash-памяти Samsung.
контрольная работа, добавлен 30.08.2012