Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазами
Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
Подобные документы
Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Поняття про поляризації гірської породи. Діелектричні втрати. Взаємодія електричних і магнітних полів з гірською породою. Провідність металів і напівпровідників. Виникнення механічних напружень в гірських породах під дією зовнішніх електричних полів.
лекция, добавлен 22.07.2017Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Математичне моделювання як один із методів аналізу режимів роботи електричних систем. Загальна характеристика схеми заміщення і параметрів елементів електричних систем. Розгляд основних особливостей двообмоткового трансформатора, основне призначення.
контрольная работа, добавлен 27.07.2013Задача синтеза эффективного алгоритма приема полезного сигнала с неизвестными начальными фазами на фоне негауссовых помех. Показано, что для эффективного обнаружения сложного сигнала приемник должен в функциональном составе содержать нелинейный блок.
статья, добавлен 30.10.2018Проектирование трёхступенчатой защиты от замыканий между фазами у шин подстанции. Выбор коэффициента трансформации трансформатора тока и схему соединения их с реле. Отстройка токовой отсечки от бросков тока намагничивания силовых трансформаторов.
лабораторная работа, добавлен 15.04.2015Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Установлення зміни температури тіла, що сушиться і швидкості сушіння та питомих енергозатрат на видалення вільної і зв'язаної води під дією неоднорідних електричних полів. Промислове застосування неоднорідних електричних полів при зволоженні і сушінні.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження впливу постійних і змінних, однорідних і неоднорідних електричних полів на процеси статики і кінетики сорбції, дифузії та проникнення вологи через ненаповнені і наповнені високодисперсним порошком міді плівки полівінілхлориду різної товщини.
автореферат, добавлен 18.11.2013Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз недоліків сенсорів на основі полімерних сегнетоелектриків. Знайомство з сучасними методами дослідження властивостей сенсорів. Розгляд закономірностей формування і релаксації поляризованого стану в сенсорах на основі полімерних сегнетоелектриків.
автореферат, добавлен 26.09.2015Специфіка фізичних властивостей релаксорних сегнетоелектриків. Визначення залежності радіуса кореляції поляризації фазових переходів. Дослідження динамічної діелектричної проникливості. Розгляд особливостей перевороту диполя у фізичних механізмах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Класифікація електричних мереж. Параметри і схеми заміщення елементів електричної мережі. Характеристики і параметри електричних навантажень. Визначення втрат потужності в електричних мережах. Техніко-економічні розрахунки в системах електропостачання.
курс лекций, добавлен 16.07.2017Дослідження фазового складу структури, фазових перетворень, фізичних властивостей перовскітів із застосуванням електричних та магнітних полів, рентгеноструктурного аналізу, електронної мікроскопії. Теоретичні моделі для точкових і протяжних дефектів.
автореферат, добавлен 24.02.2014Решение задачи синтеза эффективных алгоритмов приема полезного сигнала с флуктуирующими амплитудами и начальными фазами на фоне негауссовых помех. Получение рабочих характеристик приемников обнаружения полезного сигнала на фоне негауссовых помех.
статья, добавлен 30.10.2018