Полупроводниковые наноструктуры
Технология изготовления квантовых ям. Применение квантовых наноструктур в электронике. Квантовые нити, их изготовление. Особенности квантовых точек. Сверхрешётки: физические свойства; технология изготовления; энергетическая структура; применение.
Подобные документы
Особенности использования магнитомягких материалов для постоянных и низкочастотных полей. Определение свойств ферритов и магнитодиелектриков. Применение магнитострикционных материалов для изготовления сердечников электромеханических преобразователей.
реферат, добавлен 30.08.2010История открытия сверхпроводников, отличие их от идеальных проводников. Эффект Мейснера. Применение макроскопического квантового явления. Свойства и применение магнитов. Использование в медицине медико-диагностической процедуры как электронной томографии.
презентация, добавлен 18.04.2016Конструкция аргонового лазера и особенности его оптического резонатора, активная среда и функциональные особенности. Технологические операции по изготовлению лазера и его выходного зеркала, этапы и принципы их реализации, анализ и оценка эффективности.
курсовая работа, добавлен 16.05.2015Лазерная обработка металлов. Лазерная связь и локация. Лазерные системы навигации и обеспечения безопасности полетов. Лазерные системы управления оружием. Газовые, полупроводниковые, жидкостные, газодинамические, кольцевые лазеры.
реферат, добавлен 10.05.2004Законы распространения световой энергии в прозрачных средах на основе представления о световом луче. Ход лучей в сечении треугольной призмы. Рассеивающая линза. Квантовые свойства света. Фотоэффект. Закон отражения. Угол падения равен углу отражения.
реферат, добавлен 29.03.2009Строение, электрические свойства полупроводников и их отличия от металлов. Собственная и примесная проводимость. Полупроводниковые приборы: диод, фотодиод, транзистор, термистор. Коэффициент тепловой связи. Статические вольт-амперные характеристики.
курсовая работа, добавлен 15.02.2014Назначение, конструкция и принцип действия вакуумного выключателя ВВТЭ-10-10/630У2. Свойства и характеристики электротехнических материалов применяемых для изготовления аппарата. Преимущества вакуумных выключателей. Получение, марки и сплавы меди.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012Описание технологии изготовления учебного макета проводки с учетом планировки квартиры. Изучение аналогов. Требования к конструкции. Выбор материала и технологии изготовления схемы проводки. Поэтапное планирование изготовления макета, его характеристики.
творческая работа, добавлен 02.12.2016Общая характеристика и свойства цирконата-титаната свинца, оценка перспектив его применения для изготовления электрооптических модуляторов и переключателей, ультразвуковых измерительных преобразователей и гидролокаторов, гидрофонов, зуммеров и звонков.
реферат, добавлен 24.06.2010Основные закономерности развития и особенности формирования регулярных поверхностных микро- и наноструктур. Анализ получения регулярных поверхностных и пористых микро- и наноструктур с использование методов объемной микрообработки и фотолитографии.
курсовая работа, добавлен 08.10.2015Классификация и типы полупроводников, их характеристики и свойства. Контактные явления на границе раздела полупроводников различных типов. Изучение работы соответствующих устройств, резонанс токов и напряжений. Изучение вольтмперной характеристики диода.
дипломная работа, добавлен 03.07.2015Использование изопланарного процесса для изготовления полупроводниковых интегральных микросистем. Характеристика изопланарной, эпипланарной и полипланарной технологий. Понятие межэлементной диэлектрической изоляции. Показатели, характеризующие эпитаксию.
курсовая работа, добавлен 18.07.2011Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.01.2015- 64. Квантовые точки
Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.
презентация, добавлен 24.10.2013 ЭПВН как металлизированное, электропроводящее волокно. Его технические характеристики и технология получения. Основное сырье для производства ЭПВН. Создание лёгких и гибких электронагревательных систем. Фирмы, производящие металлизированные волокна.
реферат, добавлен 15.02.2010Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.
реферат, добавлен 20.06.2010- 67. Аэрогель
Особенности получения и физические свойства аэрогеля. Структуры, образующиеся при сушке геля. Графен как лист толщиной в один атом, в котором атомы углерода образуют гексагональную решетку. Применение аэрогелей космических экспериментах на борту шаттлов.
реферат, добавлен 07.04.2015 Роль и значение трансформатора, его конструктивные части и принцип действия. Характеристика трансформатора тока типа ТФН, электротехнические материалы, применяемые для его изготовления. Свойства меди и электротехнической стали, трансформаторная бумага.
реферат, добавлен 29.03.2012Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в газовом разряде.
дипломная работа, добавлен 18.03.2008Понятие и типы хронографов, их функции. Принцип работы устройства для измерения начальной скорости вылета пули с заданными параметрами, применяемые детали и технология изготовления, требования и правила эксплуатации. Программирование микросхемы.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013Объединение изолированных атомов в кристалл. Схема локальных энергетических уровней электронов. Основные элементы зонной теории. Особенность состояний электронов в кристаллах. Уменьшение сопротивления металлов. Физические основы квантовой электроники.
контрольная работа, добавлен 09.01.2012Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа, добавлен 19.01.2012Понятие и классификация полевых транзисторов, их разновидности и функциональные особенности. Входные и выходные характеристики данных устройств, принцип их действия, внутренняя структура и элементы. Физическое обоснование работы и сферы применения.
презентация, добавлен 29.03.2015- 74. Голограммы
Физические принципы голографии, уравнения. Способы формирования голограмм. Схема регистрации Габора. Свойства опорной и объектной волны. Технология получения изобразительной и криминалистической голографии. Сущность пространственного мультиплексирования.
курсовая работа, добавлен 08.05.2014 Механизм функционирования Солнца. Плазма: определение и свойства. Особенности возникновения плазмы. Условие квазинейтральности плазмы. Движение заряженных частиц плазмы. Применение плазмы в науке и технике. Сущность понятия "циклотронное вращение".
реферат, добавлен 19.05.2010