Механизм кристаллизации
Понятие и основные этапы кристаллизации как процесса фазового перехода вещества из жидкого состояния в твердое кристаллическое с образованием кристаллов. Физическое обоснование данного процесса в природе. Типы кристаллов и принципы их выращивания.
Подобные документы
Понятие кристаллической (пространственной) решетки. Кристаллическая структура эффекта. Области применения промышленных пьезопленок. Обратный пьезоэлектрический эффект. Использование пьезоэлектрических кристаллов для получения электрической энергии.
курсовая работа, добавлен 14.04.2014Процесс превращения пара в жидкость. Расчет количества теплоты, необходимого для превращения жидкости в пар. Температура конденсации паров вещества. Конденсация насыщенных паров. Определение теплоты фазового перехода при квазистатическом процессе.
презентация, добавлен 25.02.2015Сущность и физическое обоснование явления люминесценции как свечения вещества, возникающего после поглощения им энергии возбуждения, основные факторы, оказывающие на него непосредственное влияние. Люминесцентные источники света - газоразрядные лампы.
реферат, добавлен 25.04.2014Степень нагретости тела. Температура - мера средней кинетической энергии поступательного движения молекул идеального газа. Температура - макроскопический параметр состояния вещества. Основные термометрические параметры.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2007- 55. Процесс кипения
Основные положения молекулярной теории строения вещества. Скорость движения молекул вещества. Переход вещества из газообразного состояния в жидкое. Процесс интенсивного парообразования. Температура кипения и давление. Поглощение теплоты при кипении.
презентация, добавлен 05.02.2012 Эволюция развития нано- и оптоэлектроники, этапы и направления данного процесса. Характеристические длины мезоскопических структур. Характеристика квантовых ям, нитей и точек. Плотность состояний и размерность системы. Полупроводниковые гетероструктуры.
реферат, добавлен 24.08.2015Яркость люминесценции кристаллов. Основные физические характеристики люминесценции. Изучение спектра, кинетики и поляризации излучения люминесценции. Яркость фосфоресценции органических молекул. Начальные стадии фосфоресценции кристаллофосфоров.
реферат, добавлен 05.06.2011- 58. Исследование температурной зависимости оптических свойств преобразователей оптического излучения
Измерение интенсивности излучения ниобата лития по времени при различных температурах. Основные функции и возможности прибора для нагревания кристаллов, собранного на базе ПИД-регулятора ОВЕН ТРМ101, настройка прибора, инструкция по пользованию им.
дипломная работа, добавлен 31.05.2014 Расчет обмоток трансформатора, этапы, принципы данного процесса. Методика определения потерь короткого замыкания. Тепловой расчет трансформатора. Вычисление теплопроводности обмотки, а также среднего превышения температуры обмотки над температурой масла.
контрольная работа, добавлен 11.04.2014Основные понятия люминесценции кристаллов. Квантовый и энергетический выход люминесценции. Способы возбуждения электролюминесценции. Влияние внешних электрических полей и высоких гидростатических давлений на характеристики галофосфатных люминофоров.
дипломная работа, добавлен 07.07.2015Рассмотрение истории открытия и направлений применения жидких кристаллов; их классификация на смектические, нематические и холестерические. Изучение оптических, диамагнитных, диэлектрических и акустооптических свойств жидкокристаллических веществ.
курсовая работа, добавлен 18.06.2012Возникновение представлений о строении вещества: молекула - мельчайшая частица; понятие диффузии. Притяжение и отталкивание молекул, агрегатные состояния веществ. Особенности молекулярного строения твердых тел, жидкостей и газов, кристаллическая решетка.
реферат, добавлен 10.12.2010Система обозначения граней и направлений. Индексы граней и ребер кристаллов. Символы ребер. Основные кристаллографические соотношения. Углы между двумя направлениями, между направлением и плоскостью. Межплоскостное расстояние и индексы плоскости.
лабораторная работа, добавлен 20.03.2007Разработка методики количественного определения состава образцов рентгеноспектральным микроанализом. Физические основы растровой электронной микроскопии. Использование зависимости интенсивности линий от ускоряющего напряжения. Методы детектирования.
курсовая работа, добавлен 16.10.2014Эффекты, возникающие в кристаллах полупроводников и диэлектриков при механическом возбуждении ультразвуковыми колебаниями. Кристаллы ZnS с примесью хрома, выращенные из расплава под давлением инертного газа. Метод электронного парамагнитного резонанса.
реферат, добавлен 26.06.2010Контроль рельсовой стали на флокеночувствительность: основные методы количественного рентгеновского фазового анализа. Определение параметров кристаллической решетки вещества рентгеновским методом. Устройство и принцип действия электронного микроскопа.
контрольная работа, добавлен 18.12.2010Устройство и назначение простейшего твердотельного лазера; их изготовление из рубинов, молибдатов, гранатов. Ознакомление с оптическими свойствами кристаллов и особенностями генерации света. Определение энергетических характеристик импульсного лазера.
реферат, добавлен 12.10.2011- 68. Квантовые точки
Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.
презентация, добавлен 24.10.2013 Назначение и характер технологического процесса объекта электроснабжения. Обоснование выбора номинальных напряжений. Расчет заземляющего устройства подстанции. Основные типы актуальных источников света. Вычисление трудоемкости электромонтажных работ.
дипломная работа, добавлен 24.12.2021Создание дефектов в кристаллах и появление в запрещенной зоне определенных полос поглощения. Недостаток радиационного способа. Фотохимическая и термическая обработка кристаллов. Перевод электрона на уровень энергии, обусловленный наличием F-центра.
презентация, добавлен 19.02.2014Исследование основ теории пироэлектрических приемников излучения. Теплоэлектрическая и эквивалентная схемы замещения. Последовательное и параллельное соединение приемников. Анализ основных типов приемников и их применения в детектирующих устройствах.
курсовая работа, добавлен 19.04.2016Виды реакций твердых тел. Радиационно-химическое разложение ионных и ионно-молекулярных кристаллов. Релаксация и автолокализация электронных возбуждений. Механизмы фундаментальной реакционной способности. Твердофазные превращения без изменения состава.
презентация, добавлен 22.10.2013Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Развитие технологии ламп, история данного процесса и современные достижения. Виды и источники искусственного освещения, их достоинства и недостатки: накаливания, люминесцентные, энергосберегающие. Типовые неисправности и основные принципы их устранения.
контрольная работа, добавлен 12.12.2014Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа, добавлен 22.10.2009