Эмиссионная электроника
Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.
Подобные документы
Cпособы точного решения уравнения Шредингера. Любое твердое тело представляет собой систему, состоящую из огромного числа ядер и ещё большего числа электронов. Обобществление электронов в кристалле. Электронные облака внутренних оболочек атома.
реферат, добавлен 10.12.2008В модели Кронига-Пенни рассматривается движение электронов в линейной цепочке прямоугольных потенциальных ям. Зависимость энергии электрона от волнового вектора. Зоны Бриллюэна. О структуре энергетических зон. Случаи зонной структуры твёрдых тел.
реферат, добавлен 11.12.2008Создание и проекционный перенос изображения с помощью пучка электронов. Характеристики рассеяния электронов в слое электронорезиста. Рентгеношаблон. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Источник рентгеновского излучения.
реферат, добавлен 14.01.2009Механика и принципы методов исследования поверхности твердого тела: вторичная электронная эмиссия; масс-спектрометрия. Принципы работы растрового электронного микроскопа. Разработка алгоритма расчетов секторных магнитов с однородным магнитным полем.
дипломная работа, добавлен 22.02.2012Рассмотрение задачи о движении электронов в скрещенных полях при отсутствии колебаний. Определение рабочих и нагрузочных характеристик магнетронов. Изучение основных положений теории безопасности полетов. Анализ проблемы возбуждения СВЧ колебаний.
дипломная работа, добавлен 30.08.2010Ультразвук. Общие сведения. Фронт волны. Фазовая скорость. Отношение давления к колебательной скорости. Коэфициент стоячей волны. Коэффициент бегущей волны. Энергия упругих колебаний. Плотность потенциальной энергии. Общая плотность энергии бегущей волны.
реферат, добавлен 12.11.2008Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.
дипломная работа, добавлен 06.06.2010Особенности конструкции электронной пушки, формирующей цилиндрические и ленточные пучки. Проектирование формирования интенсивного электронного пучка определенной конфигурации с заданными значениями тока и скорости и с ламинарным движением электронов.
курсовая работа, добавлен 28.11.2010Тенденции развития мировой микроэлектроники. Новые методы оценки сегментации рынка. Проблемы кремниевых заводов. Развитие традиционных технологий корпусирования. Системы на кристалле. Технология сборки на пластине. Органическая и печатная электроника.
реферат, добавлен 10.03.2013Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Принцип действия газонаполненных разрядников. Основные физические закономерности. Вольт-амперная характеристика разрядников. Статистическое запаздывание возникновения разряда. Термоэмиссия электронов с поверхности катода. Диапазон значений рабочего тока.
реферат, добавлен 31.10.2011Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем.
курсовая работа, добавлен 15.06.2013Физические характеристики магнитных полей. Зависимость эффективности лечения различных заболеваний от биотропных параметров магнитных полей. Физиотерапевтический эффект при воздействии магнитным полем. Механизмы действия магнитных полей на живой организм.
реферат, добавлен 09.01.2009Формирование интенсивных осесимметричных электронных пучков. Электронная пушка. Пушка Пирса для формирования цилиндрического пучка. Расчет излучателя электронов. Конструкция, конфигурация прикатодного фокусирующего электрода и анода. Величина компрессии.
реферат, добавлен 26.01.2009Понятие плазмы как среды, содержащей кроме нейтральных частиц заряженные (обоих знаков) и отвечающей условию квазинейтральности. Температура частиц, причины неравновесности, условия существования. Роль плазменных процессов в технологии микроэлектроники.
презентация, добавлен 02.10.2013Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Устройство установки, принципы действия: рабочий объем, эффузионные ячейки. Дифракция быстрых электронов. Использование раствора кадмий-ртуть-теллур для производства инфракрасных и фотоприемников.
курсовая работа, добавлен 11.04.2012Лазерные фототелеграфные устройства. Факсимильные аппараты. Фазирование передающего и принимающего аппаратов. Избыточность факсимильного сообщения. Упрощенная схема участвующих в генерации уровней энергии в аргоновом лазере с водяным охлаждением.
контрольная работа, добавлен 21.02.2009Определение вероятности потерь по вызовам, времени и нагрузке в случае простейшего и примитивного потока вызовов от источников. Средняя длительность начала обслуживания, длина очереди в информационных потоках. Интенсивность поступающей нагрузки на АТС.
контрольная работа, добавлен 01.04.2014Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.
курсовая работа, добавлен 31.03.2015Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.
реферат, добавлен 15.01.2015История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Доменная структура тонких магнитных пленок. Принцип действия запоминающих устройств на магнитных сердечниках. Исследование особенностей использования ЦМД-устройств при создании памяти.
курсовая работа, добавлен 23.12.2012Эффекты разогрева электронного газа. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Транзисторы с инжекцией горячих электронов и на горячих электронах. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников.
курсовая работа, добавлен 30.10.2014Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа, добавлен 14.07.2012Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.
презентация, добавлен 24.05.2014Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.
реферат, добавлен 28.12.2013