Эффект люминесценции
Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.
Подобные документы
Понятие гетеро- и гомоперехода между проводниками, их отличительные признаки и свойства, основные характеристики. Открывающиеся возможности при реализации гетероперехода. Сущность и техническая основа оптоэлектроники. Достоинства гетерофотодиодов.
реферат, добавлен 31.05.2010Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Математическая запись гармонических колебаний. Амплитудный и фазовый спектры периодического сигнала. Спектр периодической последовательности прямоугольных импульсов. Внутренний интеграл, являющийся функцией частоты. Спектры непериодических сигналов.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Принцип работы и устройства варикапа. Характеристики р-n-перехода полупроводникового диода. Вольтамперные характеристики p-n перехода. Физическая природа емкости полупроводникового диода (варикапа). Зависимость барьерной емкости от постоянного напряжения.
курсовая работа, добавлен 15.02.2016Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013Понятие и общая характеристика приборов - излучателей или приемников электромагнитных волн. Описание детекторных радиоприемников, принципы работы диода и триода. Устройство транзистора, свойства полупроводников, особенности возникновения p-n перехода.
реферат, добавлен 17.03.2011Понятие, виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики, особенности принципа работы. Возможности, недостатки и эффективность светодиодных ламп. Применение органических светодиодов при создании устройств отображения информации (дисплеев).
реферат, добавлен 23.07.2010Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.
курсовая работа, добавлен 17.01.2015Открытие эффекта комбинационного рассеяния света (эффект Рамана). Применение в волоконно-оптических линиях связи оптических усилителей, использующих нелинейные явления в оптоволокне (эффект рассеяния). Схема применения, виды и особенности устройства.
реферат, добавлен 29.12.2013- 38. Габаритный расчет пакета и металлические материалы для пакетов магнитострикционных преобразователей
Явление магнитострикции. Обратный магнитострикционный эффект. Резонансные системы продольных колебаний. Унифицированные конструкции магнитопроводов. Конструирование приборов, использующих принципы магнитных полей. Разнообразие магнитных металлов.
реферат, добавлен 07.11.2008 Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Параметрические стабилизаторы напряжения. Соотношения токов и напряжений. Относительное приращение напряжения на выходе стабилизатора. Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
лабораторная работа, добавлен 03.03.2009Расчет характеристик амплитудного базового модулятора на нелинейном элементе. Статическая вольтамперная характеристика прямой передачи транзистора и ее аппроксимация. Прием импульсных сигналов, условные вероятности пропуска и ложного обнаружения сигнала.
курсовая работа, добавлен 12.01.2012Разработка и изготовление волоконно-оптического кабеля, решение проблем электротехники, материаловедения и технологии. Теоретические основы функционирования, конструкция оптических волокон, материалы, характеристики и параметры, технология изготовления.
реферат, добавлен 27.11.2009Понятие сигнала, под которым понимают как техническое средство для передачи, обращения и использования информации - электрический, магнитный, оптический сигнал; так и физический процесс, представляющий материальное воплощение информационного сообщения.
презентация, добавлен 14.09.2010Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат, добавлен 29.10.2011Припои, флюсы и компаунды, кабельные массы. Монтажные материалы, их характеристика, разновидности, сферы и особенности практического применения. Свинцовые, пластмассовые и чугунные муфты. Методы и средства защиты свинцовых муфт на бронированном кабеле.
реферат, добавлен 11.02.2011Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.
реферат, добавлен 23.06.2010Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Светодиод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока: история создания, виды, классификация. Устройство светодиодных световых приборов, область применения.
реферат, добавлен 05.05.2013Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Светодиоды и их применение. Телевизоры с LED подсветкой, их преимущества. OLED дисплеи, их преимущества в сравнении c жидкокристаллическими дисплеями. Кластерные и матричные светодиодные экраны, их применение в целях рекламы на улицах крупных городов.
реферат, добавлен 11.02.2014Способ непосредственного и дистанционного управления. Программирование сигнала разных форм. Задание способа управления и режима работы. Светодиоды и цифровые индикаторы. Программный режим работы и коды ошибок. Создание программы сигнала и блок сегментов.
контрольная работа, добавлен 26.02.2009