Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
Подобные документы
Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат, добавлен 05.02.2009Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.
реферат, добавлен 12.06.2009Основные характеристики усилителей, обратные связи в них. Задание режима работы транзистора по постоянному току фиксированным током базы в схемах с общим эмиттером. Исследование амплитудной характеристики усилителя, его зависимость от сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 23.04.2009Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация, добавлен 14.11.2014Описание и сравнительный анализ непосредственных преобразователей постоянного напряжения всех типов. Заряд и разряд индуктивности. Определение минимальной и максимальной величин коэффициента заполнения импульсов. Выбор модулятора биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 12.01.2015Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа, добавлен 23.01.2012Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа, добавлен 25.11.2014Теория электрических и магнитных явлений и теоретические основы электротехники. Структурная схема и расчет выпрямителя. Однополупериодный выпрямитель с различными фильтрами. Расчет транзисторного усилительного каскада. Выбор типа биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 10.04.2009Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Структурная схема передатчика, расчет оконечного каскада. Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора в схеме с ОЭ. Расчёт согласующего устройства, выходного фильтра. Конструктивный расчёт катушек индуктивности. Расчет блокировочных элементов.
курсовая работа, добавлен 09.05.2012Выбор и расчет блока питания всей схемы. Назначение усилительного устройства и его структура. Выбор и расчет параметров усилителя напряжения, параметров активного фильтра и усилителя мощности. Входное сопротивление усилителя. Параметры активного фильтра.
контрольная работа, добавлен 05.08.2011Биполярный транзистор ГТ310Б, его характеристика. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току. Определение H и G – параметров, величины эквивалентной схемы биполярного транзистора, частот, сопротивления нагрузки и динамических коэффициентов усиления.
контрольная работа, добавлен 09.11.2008Частота усиливаемых сигналов, дифференциальные параметры транзисторов, их равенство низкочастотным значениям. Определение сквозного коэффициента усиления по напряжению. Режимы короткого замыкания и холостого хода, входное и выходное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 25.08.2012Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 10.02.2016Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья, добавлен 08.05.2014Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 26.11.2009Задание звена в командном окне. Амплитудно-частотная характеристика звена, его передаточная функция и дифференциальное уравнение. Исследование безинерционного, инерционного звена первого порядка, интегрирующего идеального дифференцирующего реального.
контрольная работа, добавлен 17.01.2013Исследование модели вход-выход. Дифференциальное уравнение описания системы. Начальные условия на интеграторах и выходные сигналы интеграторов. Схемы и графики моделирования. Реакция на нулевое входное воздействие и ненулевые начальные условия.
лабораторная работа, добавлен 27.10.2013- 70. Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа, добавлен 08.08.2007 - 71. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа, добавлен 09.11.2010 Применение однотактных усилителей с трансформаторным выходом. Выбор транзистора. Сопротивление обмоток трансформатора. Разработка печатной платы. Расчет истокового повторителя. Составление функциональных схем на элементах И-НЕ по заданным функциям.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Разработка системы стабилизации мощности генератора. Особенности схемы усилителя с автоподстройкой усиления, в выходном каскаде которой был использован эмиттерный повторитель с использованием биполярного транзистора. Изготовление печатной платы.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014Исследование структурной схемы импульсного усилителя. Выбор рабочей точки и транзистора. Расчет эквивалентной схемы транзистора, усилительных каскадов, разделительных и блокировочных емкостей. Характеристика особенностей эмиттерной термостабилизации.
курсовая работа, добавлен 23.10.2013Расчет заземляющих устройств с учетом естественных заземлителей. Расчетное удельное сопротивление грунта. Сопротивление искусственных заземлителей с учетом коэффициента экранирования. Молниезащита зданий и сооружений. Однолинейная схема электроснабжения.
методичка, добавлен 06.05.2009