Проектирование гибридных интегральных микросхем и расчет элементов узлов детектора СВЧ-сигналов
Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
Подобные документы
Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.
реферат, добавлен 05.12.2012Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация, добавлен 29.05.2010Обоснование архитектуры радиоприемника. Расчет частотного и энергетического планов. Выбор элементной базы. Проектирование преселектора радиоприемника. Расчет МШУ по постоянному току и на основе S-параметров. Использование интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 12.05.2015Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2009Разработка электрической функциональной схемы устройства. Обоснование выбора серии интегральных микросхем. Расчет частоты тактового генератора, его потребляемой мощности. Среднее время выполнения операции после расчета по временному графу автомата Мура.
курсовая работа, добавлен 10.01.2015Виды высокочастотных конденсаторов. Удельная емкость. Применение конденсаторов большой номинальной емкости. Воздушные конденсаторы переменной емкости. Полупеременные конденсаторы. Конденсаторы специального назначения. Конденсаторы интегральных микросхем.
реферат, добавлен 09.01.2009Расчет интегрального показателя качества аппаратуры. Структурный анализ аппаратуры на уровне микросхем. Распределение блоков и микросхем по типам. Влияние условий окружающей среды на интенсивность отказа аппаратуры. Проведение профилактических осмотров.
курсовая работа, добавлен 07.02.2013Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Проектирование устройства преобразования цифровой информации в аналоговую и наоборот для цифрового магнитофона. Описание используемых интегральных микросхем. Разработка структурной и принципиальной схемы цифрового канала звукозаписи без кодера и декодера.
курсовая работа, добавлен 18.10.2010Сущность, основные показатели и понятия надежности. Коэффициенты надежности и методика их расчета. Расчёт количественных характеристик надёжности интегральных микросхем, среднего времени восстановления и коэффициента готовности системы автоматики.
контрольная работа, добавлен 05.04.2011Принцип действия прибора, его основные параметры и характеристики. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Максимальный прямой ток через переход. Расчёт активных элементов интегральных микросхем. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016История возникновения и развития ОАО "НИТЕЛ", его организационная структура и характеристика деятельности. Описание принципов создания пленочных интегральных микросхем. Особенности формирования диэлектрических слоев. Технология напыления тонких пленок.
отчет по практике, добавлен 29.11.2010Выбор промежуточной частоты, расчёт полосы пропускания линейного тракта приемника. Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы, расчет преселектора. Выбор интегральных микросхем, оценка реальной чувствительности и свойства приемника.
курсовая работа, добавлен 04.03.2011Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий.
реферат, добавлен 12.06.2009Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Сущность и назначение цифровых интегральных микросхем, описание их статических и динамических параметров. Основы алгебры логики. Изучение элементов транзисторной логики с эмитерными связями. Принципы сочетания диодного элемента с транзисторным инвертором.
реферат, добавлен 21.11.2010История разработки и использования интегральных микросхем. Выбор элементной базы устройства. Синтез электрической принципиальной схемы: расчет усилительных каскадов на транзисторах, параметры сумматора, инвертора, усилителя, дифференциатора и интегратора.
курсовая работа, добавлен 25.11.2010Применения металлорежущих станков с числовым программным управлением в машиностроении, требования к их качеству и надёжности. Проектирование устройства ЧПУ для управления фрезерными станками на базе кремневых интегральных микросхем третьего поколения.
курсовая работа, добавлен 14.10.2009Техника электроэрозионной и токовой подгонки тонкопленочных резисторов. Обработка пленок в тлеющем разряде. Подгонки тонкопленочных конденсаторов. Анодирование и анодное оксидирование. Электронные и ионные методы подгонки. Лазерная обработка пленки.
лабораторная работа, добавлен 01.02.2014Применение селективных систем преселектора с целью подавления помех по дополнительным каналам приема. Расчет одноконтурной входной цепи. Выбор интегральных микросхем. Требования, предъявляемые к схеме питания приемного устройства, его структурная схема.
реферат, добавлен 02.03.2011Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Краткие сведения из теории полупроводниковой электроники. Принцип работы и технические характеристики интегральных микросхем с тремя логическими состояниями и с открытым коллектором. Методика выполнения логических функций на логических элементах.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2009Операционный усилитель как один из широко распространенных интегральных микросхем. Применение усилителя постоянного тока для повышения качества и интенсивности сигналов. Исследование возможностей его применения для их сложения, в качестве интегратора.
лабораторная работа, добавлен 30.04.2014Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
реферат, добавлен 22.02.2009