Анализ механизмов протекания темновых токов в фотодиодах из InGaAs

Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.