Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Техника электроэрозионной и токовой подгонки тонкопленочных резисторов. Обработка пленок в тлеющем разряде. Подгонки тонкопленочных конденсаторов. Анодирование и анодное оксидирование. Электронные и ионные методы подгонки. Лазерная обработка пленки.
Подобные документы
Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат, добавлен 07.11.2010Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа, добавлен 28.09.2012Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа, добавлен 08.03.2010Пассивные пленочные элементы схем. Номинальное сопротивление резистора. Сосредоточенные пленочные резисторы. Проектирование тонкопленочных резисторов. Наиболее применяемые в технике топологии резисторов. Параллельные и последовательные конденсаторы.
реферат, добавлен 15.12.2015Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2010Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа, добавлен 03.02.2010Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа, добавлен 25.01.2013Технологические свойства керамики. Основные компоненты, предназначенные для изготовления ответственных изделий электронной техники. Особенности процесса гидростатического прессования на примере получения заготовок для высоковольтных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.01.2011Расчёт и обоснование требуемых характеристик источника питания. Определение и выбор всех элементов схемы (номиналов и мощностей). Вычисление параметров конденсаторов, резисторов, транзисторов. Расчёт КПД схемы при синусоидальном входном сигнале.
контрольная работа, добавлен 05.12.2010Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.
реферат, добавлен 22.01.2013Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2009Разработка топологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки на основе тонкопленочной технологии. Схемотехнические данные и используемые материалы. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.
лабораторная работа, добавлен 12.01.2010Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.
реферат, добавлен 26.01.2013Расчет и проектирование резистивных элементов. Конструирование пленочных конденсаторов. Описание строения и функционального назначения индуктивных элементов. Характеристика навесных компонент ГИС. Методы термического испарения и катодного напыления.
методичка, добавлен 28.12.2011Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа, добавлен 07.05.2013- 17. Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц
Проектирование схемы формирователя опорной частоты в микроэлектронном исполнении, предназначенной для связных, телевизионных и навигационных комплексов. Расчёт режимов работы схемных элементов по постоянному току. Расчёт тонкопленочных элементов платы.
курсовая работа, добавлен 14.01.2011 Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа, добавлен 19.02.2012- 19. Полосовой фильтр
Разработка схемы электрической принципиальной. Выбор номиналов резисторов, конденсаторов и усилителя. Расчет полосового фильтра. Статистический анализ схемы фильтра (анализ Монте-Карло), обоснование допусков на номиналы. Конструирование платы фильтра.
курсовая работа, добавлен 14.01.2016 - 20. Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета
Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат, добавлен 11.12.2008 Задачи, решаемые эпитаксией в технологическом процессе. Многоэмиттерные транзисторные структуры. Направления функциональной микроэлектроники. Акустоэлектроника: типы устройств, их конструкция и параметры. Расчет тонкопленочного резистора и конденсатора.
курсовая работа, добавлен 26.03.2015Конструктивные особенности типовых элементов схемы: резисторов, конденсаторов, диодов, индикаторов, усилителей. Определение требований к печатной плате, расчет конструктивных параметров и надежности ее элементов. Технология поверхностного монтажа.
курсовая работа, добавлен 16.06.2011Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Проектирование топологии гибридных микросхем, тонко- и толстопленочных, их тепловой режим и характер паразитных связей. Конструкции пленочных конденсаторов и используемые при их изготовлении материалы. Пример расчета параметров конденсатора данного типа.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014Анализ и назначение сверхбольших интегральных схем программируемой логики. Сущность, особенности, структура и классификация микропроцессоров. Общая характеристика и задачи системы автоматизированного проектирования матричных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 31.05.2010