Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния
Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
Подобные документы
Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа, добавлен 10.05.2014Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.
дипломная работа, добавлен 06.01.2016Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа, добавлен 09.09.2012Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат, добавлен 23.10.2012Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад, добавлен 26.01.2011Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья, добавлен 22.06.2015Классификация твердых тел по электропроводности. Процесс образования пары электрон - дырка. Преимущества использования кремния в качестве полупроводникового материала. Структура кристаллической решетки типа "алмаз". Электронно-дырочный p-n-переход.
презентация, добавлен 09.07.2015Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа, добавлен 08.06.2011- 10. Закономерности отложения примесей в паровых котлах, методы химических очисток и консервации котлов
Особенности отложения примесей в паровых котлах, методы химических очисток и их влияние на надежность эксплуатации оборудования. Технологии некоторых химических очисток котлов и результаты их проведения, выполненных в ОАО "Сибтехэнерго" в разное время.
магистерская работа, добавлен 02.08.2015 Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа, добавлен 24.07.2012Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
методичка, добавлен 13.06.2013Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.
контрольная работа, добавлен 11.02.2014Выращивание кристаллов из расплава. Методы нормальной направленной кристаллизации, оценка их главных достоинств и недостатков. Способ выращивания монокристаллов германия с использованием формообразователя, методом осевого теплового потока вблизи фронта.
курсовая работа, добавлен 29.11.2014Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа, добавлен 29.09.2013Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация, добавлен 27.11.2015Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 06.02.2010Этапы разработки полупроводникового преобразователя, работающего в выпрямительном и инверторном режиме. Выбор и обоснование схемы соединения вентилей. Основные соотношения, характеризующие трёхфазную мостовую схему трансформатора. Расчёт ударного тока.
курсовая работа, добавлен 08.01.2011Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.09.2010Переписывание уравнений в терминах максимальной капли. Соотношения интегральных моментов функции распределения. Нахождение автомодельной функции распределения. Нормировка функции распределения. Предельный случай-распределение Лифшица-Слёзова.
курсовая работа, добавлен 24.07.2008Характеристика электроприемников металлургического завода. Метод коэффициента использования светового потока. Расчёт силовой и осветительной нагрузки. Выбор цеховых и силовых трансформаторов, выключателей, разъединителей. Составление картограммы нагрузок.
курсовая работа, добавлен 12.01.2015Особенности механизма излучения. Электролюминесценция, катодолюминесценция, хемилюминесценция и фотолюминесценция. Распределение энергии в спектре. Спектральная плотность интенсивности излучения. Количественный анализ состава вещества по его спектру.
контрольная работа, добавлен 11.07.2012Общая характеристика классического уравнения Лиувилля. Анализ особенностей вывода линеаризованного уравнения Власова. Рассмотрение полной системы линеаризованных уравнений в приближении самосогласованного поля для классического электронного газа.
курсовая работа, добавлен 05.04.2016Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация, добавлен 20.04.2016Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат, добавлен 25.06.2004