Малошумящий интегральный усилитель

Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

Подобные документы

  • Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.

    дипломная работа, добавлен 29.09.2010

  • Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.

    лекция, добавлен 19.11.2008

  • Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.

    контрольная работа, добавлен 04.01.2011

  • Расчет усилителя с реостатно–емкостными связями, работающего в области низких частот 10 Гц – 100 кГц. Выбор транзистора выходного каскада. Значение максимального тока на нагрузке. Проверка правильности выбора транзистора по верхней частоте, его схема.

    курсовая работа, добавлен 11.09.2015

  • Создание конструкторско-технологической документации на изготовление радиомикрофона. Схемотехническая отработка и расчет показателей качества конструкции. Обоснование компоновочной схемы радиомикрофона. Определение геометрических размеров печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 13.02.2016

  • Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.

    контрольная работа, добавлен 30.05.2015

  • Определение элементов конструкции антенны. Выбор геометрических размеров рупорной антенны. Определение типа возбуждающего устройства, расчет его размеров. Размеры раскрыва пирамидального рупора. Расчет диаграммы направленности и фидерного тракта антенны.

    курсовая работа, добавлен 30.07.2016

  • Особенности современных электронных усилителей. Разработка электрической принципиальной схемы УНЧ. Амплитудные значения тока и напряжения на входе каскада. Расчет усилителя переменного тока на примере бестрансформаторного усилителя низкой частоты.

    курсовая работа, добавлен 02.02.2014

  • Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.

    реферат, добавлен 03.02.2011

  • Назначение, область применения и основные параметры изделия. Описание конструкции с обоснованием применяемых материалов и полуфабрикатов. Расчет геометрических размеров печатной платы. Электрический и тепловой расчет интегрального стабилизатора.

    дипломная работа, добавлен 20.12.2010

  • Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.

    лабораторная работа, добавлен 13.12.2015

  • Схема однокаскадного усилителя с емкостной связью на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Расчет каскада по постоянному току и в области высоких частот. Графики статической, динамической линий нагрузки. Стандартные номинальные значения сопротивлений.

    курсовая работа, добавлен 17.01.2010

  • Разработка усилителя мощности, с использованием операционных усилителей, класс работ АБ (вид и спад амплитудно-частотных характеристик не имеет значения) с заданными параметрами выходной мощности, тока нагрузки, входного напряжения, диапазона частот.

    курсовая работа, добавлен 16.07.2009

  • Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 15.07.2012

  • Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером. Аппроксимация вольтамперной характеристики транзистора ГТ311Е. Спектр гармоник напряжения. Расчет входного и выходного каскадов нелинейного резонансного усилителя. Напряжение на сопротивлении.

    контрольная работа, добавлен 21.05.2015

  • Принципиальная схема однотактного резистивного трансформаторного усилителя с общей базой, его параметры. Питание коллекторной цепи транзистора. Необходимость дополнительного источника смещения. Выходные характеристики транзистора и нагрузочной линии.

    контрольная работа, добавлен 24.11.2010

  • Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2011

  • Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.

    курсовая работа, добавлен 14.07.2012

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа, добавлен 17.03.2015

  • Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 26.11.2014

  • Определение числа каскадов. Распределение искажений в области высоких частот. Расчет оконечного каскада. Расчет рабочей точки. Выбор транзистора. Расчёт предоконечного каскада. Расчёт входного каскада. Расчет блокировочных и разделительных емкостей.

    курсовая работа, добавлен 02.03.2002

  • Расчет коллекторного сопротивления транзистора. Расчет выходного, входного и промежуточного каскада усилителя. Входные и выходные характеристики транзистора. Расчет разделительных конденсаторов, тока потребления и мощности, рассеиваемой на резисторах.

    курсовая работа, добавлен 17.04.2010

  • Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Исследование структурной схемы импульсного усилителя. Выбор рабочей точки и транзистора. Расчет эквивалентной схемы транзистора, усилительных каскадов, разделительных и блокировочных емкостей. Характеристика особенностей эмиттерной термостабилизации.

    курсовая работа, добавлен 23.10.2013

  • Усилительный каскад с применением транзистора как основа электроники. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.