Структура металл-диэлектрик-полупроводник
Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
Подобные документы
Технология изготовления полупроводниковой микросхемы, ее виды. Электронное устройство для расшифровки сообщений, передаваемых условными сигналами и перевода информации на язык воспринимающей системы. Пример дешифратора для пятиразрядного двоичного кода.
курсовая работа, добавлен 28.04.2015Определение динамических характеристик объекта. Определение и построение частотных и временных характеристик. Расчет оптимальных параметров настройки ПИ-регулятора. Проверка устойчивости по критерию Гурвица. Построение переходного процесса и его качество.
курсовая работа, добавлен 05.04.2014Расчет токов и напряжений в элементах электрической цепи, ее частотных характеристик с применением методов комплексных амплитуд. Проверка результатов для узлов и контуров цепи с помощью законов Кирхгофа. Построение полной векторной диаграммы цепи.
курсовая работа, добавлен 12.11.2010Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 26.11.2009Технические характеристики и условия эксплуатации отладочной платы. Осуществление патентного поиска. Выбор конденсаторов, резисторов, светодиодов, транзисторов, микроконтроллера. Расчет надежности устройства. Технология изготовления печатной платы.
курсовая работа, добавлен 26.06.2012Принцип построения радиопередающего устройства, его технические характеристики. Разработка функциональной схемы передающего устройства, параметры транзисторов в генераторном режиме. Расчет усилителей, умножителей, модуляторов, кварцевых генераторов.
курсовая работа, добавлен 07.01.2014Принцип работы приемоиндикатора в режиме измерения. Расчет и построение графиков форм сигналов. Определение напряжённости поля атмосферных шумов в полосе пропускания приёмника. Подсчет ошибок определения места фазовым отсчетам при двух уровнях слежения.
курсовая работа, добавлен 03.01.2010Основные характеристики счетчиков. Микроконтроллер в пошаговом режиме работы и в режиме внешнего доступа. Структуры микроконтроллеров серии 1816 и их системы команд. Работа двоичного счетчика с последовательным переносом на примере микросхемы 155ИЕ5.
реферат, добавлен 29.09.2012Анализ способов построения сетей общего пользования. Обоснование выбора проектируемой сети. Нумерация абонентских линий связи. Расчет интенсивности и диаграммы распределения нагрузки. Выбор оптимальной структуры сети SDH. Оценка ее структурной надежности.
курсовая работа, добавлен 19.09.2014Рассмотрение основных видов транзисторов: точеного, сплавного плоскостного, диффузионного, биполярного, эпитаксиального, полевого и фототранзистора. Применение эпитаксиального материала для изготовления транзисторов для усилителей и электронных ключей.
презентация, добавлен 05.07.2013Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат, добавлен 21.08.2015Расчеты переходных процессов в линейных электрических цепях со сосредоточенными параметрами и определение искомого напряжения на отдельном элементе схемы классическим и операторным методом. Построение графика в имитационном режиме WorkBench по этапам.
курсовая работа, добавлен 17.04.2011Расчет геометрических и электродинамических параметров облучателя и параболоида. Определение геометрических и электродинамических характеристик поля. Построение пространственной диаграммы направленности и определение параметров параболической антенны.
курсовая работа, добавлен 04.03.2011Ознакомление с современным состоянием развития электрофизических методов обработки. Характеристика роботизированных установок для напыления тонкослойных покрытий на поверхность матового листового материала и для нанесения покрытий на диэлектрики.
контрольная работа, добавлен 20.05.2010Сущность понятий термопара и терморезистор. Основные виды тепловых преобразователей. Применение термоэлектрических преобразователей в устройствах для измерения температуры. Характерные свойства металлов, применяемых для изготовления терморезисторов.
контрольная работа, добавлен 18.11.2010Авторская разработка модели измерительного нейрона в рамках эквисторной структуры измерительной нейросети, формируемые на ней ассоциативно-проективные измерительные структуры. Повышение метрологических характеристик аналогово-цифрового преобразователя.
дипломная работа, добавлен 25.10.2013Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Расчет коэффициента усиления САУ и свойства внешних статических характеристик. Построение частотных характеристик САУ и характеристических корней. Моделирование переходных характеристик и проверка САУ на устойчивость. Синтез корректирующего устройства.
курсовая работа, добавлен 08.04.2010Расчет диаграммы направленности волноводно-щелевой антенны, геометрических размеров и характеристик параболического отражателя; диаграммы направленности зеркальной антенны; элементов фидерного тракта; относительной погрешности ширины конструкции.
контрольная работа, добавлен 16.06.2013Выбор типа выходного каскада исходя из необходимой величины напряжения питания. Расчет цепей фильтрации по питанию. Выбор выходных транзисторов, необходимых для усилителя низкой частоты. Расчет фазоинверсного каскада и каскада предварительного усиления.
курсовая работа, добавлен 29.11.2011Определение понятия терморезистивных датчиков. Общие характеристики резистивных детекторов температуры. Вычисление коэффициента сопротивления (полупроводника или проводника), режимов работы устройства. Рассмотрение способов применения термисторов.
реферат, добавлен 12.01.2016Разработка технологических процессов соответственно к единой системе подготовки производства измерителя H21э транзисторов. Анализ типа, условий и годовой программы выпуска. Маршрут конструкторской схемы сборки, выбор оборудования, оптимизация монтажа.
курсовая работа, добавлен 10.01.2011Принципы и условия наблюдения квантово-размерного квантования. Квантово-размерные структуры в приборах микро- и наноэлектроники. Структуры с двумерным и одномерным (квантовые нити) электронным газом. Применение квантово-размерных структур в приборах.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Разработка и расчет основных характеристик усилительных каскадов. Сущность и применение графоаналитического метода. Вычисление параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов. Нелинейные искажения и анализ данных в усилительном каскаде.
курсовая работа, добавлен 05.04.2009Расчет многокаскадного импульсного усилителя видеосигналов в транзисторном и микросхемном варианте. Составление принципиальных схем, определение входных и выходных характеристик транзисторов. Разработка устройства и конструкции печатной платы прибора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2013