Транзисторы на горячих электронах

Эффекты разогрева электронного газа. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Транзисторы с инжекцией горячих электронов и на горячих электронах. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников.

Подобные документы

  • Синхронный дискретный автомат Мура как прототип проектируемого электронного автомата с заданными входными сигналами и контролируемыми параметрами. Разработка схемы дискретного автомата. Выбор элементной базы. Разработка устройств сопряжения по входу.

    курсовая работа, добавлен 29.07.2009

  • Определение элементной базы электронного устройства. Определение технологии изготовления печатной платы. Обзор современных систем автоматизированного проектирования печатных плат. Анализ трудоемкости работ по проектированию электронного устройства.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2013

  • Сравнительный анализ кристаллических иттербий-эрбиевых сред для полуторамикронных лазеров. Пороги генерации сенсибилизированной трехуровневой лазерной среды. Способы получения образцов кристалловолокон на основе ниобата лития. Метод лазерного разогрева.

    дипломная работа, добавлен 02.09.2015

  • Особенности разработки измерительной части системы регулирования температуры. Характеристика структурной и электрической схемы электронного устройства. Анализ элементов схемы электронного устройства и источника питания. Методика испытания отдельного узла.

    дипломная работа, добавлен 19.06.2012

  • Разработка структурной схемы электронного устройства. Синтез и расчет транзисторного усилителя. Синтез преобразователей уровня, схемы арифметических преобразователей. Схема компаратора, разработка цифровой схемы. Расчет тока нагрузки блока питания.

    реферат, добавлен 06.11.2013

  • Автоматизация технологических процессов в металлургии. Проект системы контроля и контура регулирования давления смешанного газа воздухонагревателя. Разработка схем соединений внешних проводок. Расчет регулирующего органа и выбор исполнительного механизма.

    дипломная работа, добавлен 26.04.2014

  • Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.

    курсовая работа, добавлен 08.05.2009

  • Физико-химические основы гомогенного и гетерогенного зарождения и роста новой фазы, химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика поверхностных процессов. Электрофизические характеристики соприкасающихся поверхностей и границ раздела слоев.

    курсовая работа, добавлен 30.01.2011

  • Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.

    отчет по практике, добавлен 02.10.2014

  • Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.

    курсовая работа, добавлен 22.05.2015

  • Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.

    контрольная работа, добавлен 24.08.2015

  • Понятие и виды цифровых камер, отличительные особенности устройства: фотосенсор и объектив. Параметры цифрового фотоаппарата: количество пикселей матрицы. Достоинства цифровой фотографии по сравнению с пленочной. Форматы файлов и носители данных.

    презентация, добавлен 12.05.2011

  • Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • Монтаж с использованием эвтектических сплавов, клеев. Контактные площадки кристаллов и корпусов. Присоединение тонких алюминиевых или золотых проволочек. Методы присоединения электродных выводов. Монтаж перевернутого кристалла и его разновидности.

    реферат, добавлен 14.01.2009

  • Звукозапись – процесс записи звуковой информации с целью её сохранения и последующего воспроизведения. Характеристика механической звукозаписи. Фонодокумент – аудиовизуальный документ на ленточном или дисковом носителе, содержащий звуковую информацию.

    курсовая работа, добавлен 04.03.2011

  • Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Построение и обоснование компьютерной модели поведения обедненной области пространственного заряда МДП-транзистора в зависимости от напряжения, приложенного к стоку. Изучение классификации и принципа действия полевых транзисторов с индуцированным каналом.

    курсовая работа, добавлен 08.06.2011

  • Каталитические и некаталитические реакции, метод анодирования, метод электрохимического осаждения пленок для интегральной электроники. Сущность метода газофазного осаждения для получения покрытия из AlN. Физикохимия получения пленочных покрытий.

    курсовая работа, добавлен 29.04.2011

  • Принцип действия газонаполненных разрядников. Основные физические закономерности. Вольт-амперная характеристика разрядников. Статистическое запаздывание возникновения разряда. Термоэмиссия электронов с поверхности катода. Диапазон значений рабочего тока.

    реферат, добавлен 31.10.2011

  • Краткие технические сведения об изделии КР1095 ПП1, назначение вводов и выводов, процесс изготовления. Роль соединительной металлизации в производстве интегральных систем и механизмы отказов в результате электромиграции. Разработка магнетронных систем.

    дипломная работа, добавлен 25.05.2009

  • История появления и проблемы микроэлектроники. Развитие современных средств вычислительной техники, робототехники, аппаратуры цифровых коммуникаций. Положения и принципы микроэлектроники. Технология толстых пленок. Аналоговые интегральные микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 12.02.2013

  • Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.

    курсовая работа, добавлен 26.11.2009

  • Линейность - важная характеристика, определяющая точность реализации фильтром заданной функции. Принципиальный источник нелинейности, обусловленный нелинейной зависимостью заряда обеденного слоя от поверхностного потенциала и от потенциала затвора.

    реферат, добавлен 25.12.2008

  • Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.

    лекция, добавлен 19.11.2008

  • Класифікація кремнієвих датчиків тиску, конструкція та принцип їх роботи, пристій для калібрування. Переваги датчиків на основі тонких плівок перед ємнісними. Використання технології інтегральних мікросхем, сфера їх застосування. Електронний барометр.

    курсовая работа, добавлен 17.05.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.