Характеристики электронных ламп, ФЭУ МПД-транзисторов. Импульсные сигналы. Современные интегральные микросхемы
Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
Подобные документы
Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа, добавлен 07.05.2013Понятие и основные характеристики выпрямителя, его функциональные особенности, разновидности и схемы. Механизм и этапы процесса выпрямления электрического тока. Параметры выпрямителя и порядок их определения, необходимые для этого коэффициенты и данные.
курсовая работа, добавлен 12.07.2011История изобретения транзисторов, их классификация. Изобретение интегральной схемы Джеком Килби. Процесс изготовления микросхем методом фотолитографии и применением ультрафиолетовой технологии. Контроль их качества. Конструктивные варианты микросхем.
презентация, добавлен 06.10.2014Разработка и описание функциональной схемы генератора. Выбор микросхемы памяти и её объёма для программирования. Описание схемы формирования и усиления модулированного сигнала, формирователя режима работы. Расчет тактового генератора и усилителя тока.
курсовая работа, добавлен 19.05.2014Сигналы и их характеристики. Линейная дискретная обработка, ее сущность. Построение графиков для периодических сигналов. Расчет энергии и средней мощности сигналов. Определение корреляционных функций сигналов и построение соответствующих диаграмм.
курсовая работа, добавлен 16.01.2015Определение сигнальных параметров транзистора и разработка принципиальной схемы однокаскадного усилителя. Расчет сопротивления резисторов и составление схемы каскада в области средних частот. Линейная схема и повышение коэффициента усиления каскада.
контрольная работа, добавлен 29.08.2011Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 18.02.2010- 83. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 - 84. Расчет усилителя
Расчет интегрирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Основные схемы включения операционных усилителей. Зависимость коэффициента усиления от частоты, а также график входного тока усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 12.06.2014 Аналитические электрические модели. Расчет дрейфового поля, сопротивлений транзистора. Зарядная емкость эмиттера и коллектора. Расчет максимальной частоты. Эквивалентная П-образная схема на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016Назначение и виды генераторов испытательных сигналов. Проектирование ГИС с использованием аналоговых и цифровых интегральных микросхем серии К155. Работа основных его элементов. Выбор функциональной схемы. Конструкция, детали и налаживание устройства.
курсовая работа, добавлен 18.10.2010Обоснование архитектуры радиоприемника. Расчет частотного и энергетического планов. Выбор элементной базы. Проектирование преселектора радиоприемника. Расчет МШУ по постоянному току и на основе S-параметров. Использование интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 12.05.2015Биполярный транзистор ГТ310Б, его характеристика. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току. Определение H и G – параметров, величины эквивалентной схемы биполярного транзистора, частот, сопротивления нагрузки и динамических коэффициентов усиления.
контрольная работа, добавлен 09.11.2008Понятие, классификация и применения широтно-импульсной модуляции. Выбор элементной базы: назначение и режим работы микросхемы КР580ВИ53, К155АП5 и К155АГ3. Разработка электрической схемы ШИМ–регулятора и программы для управления через LPT порт ЭВМ.
курсовая работа, добавлен 14.11.2010Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2014Краткие сведения из теории полупроводниковой электроники. Принцип работы и технические характеристики интегральных микросхем с тремя логическими состояниями и с открытым коллектором. Методика выполнения логических функций на логических элементах.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2009Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа, добавлен 12.12.2011Согласованная фильтрация и накопление импульсных сигналов. Рассмотрение временного и спектрального способов синтеза согласованного фильтра. Частотно-модулированные импульсы и шумоподобные сигналы. Бинарное квантование некогерентной пачки импульсов.
реферат, добавлен 13.10.2013Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Основные параметры и принципы переключения. Схемы подключения ключей. Механические и электронные высокочастотные переключатели. Полевые транзисторы с МОП структурой затвора и монолитные СВЧ интегральные схемы. Исполнительные механизмы микросистем.
реферат, добавлен 31.01.2015Требования к сопротивлению усилителя. Определение режима транзистора. Цепи питания и термостабилизация. Параметры эквивалентной схемы. Промежуточный каскад усиления. Параметры усилителя в области малых времен. Расчет запаса устойчивости усилителя.
курсовая работа, добавлен 09.03.2015Классификация биполярных транзисторов по типу рабочего материала и механизму передачи тока в структуре. Технологические разновидности БТ. Основные свойства сплавных и планарных транзисторов. Ширина диапазона рабочих частот БТ. Способы повышения усиления.
контрольная работа, добавлен 15.01.2011Искусственные и естественные принимаемые сигналы. Характеристики радиоприемных устройств: чувствительность, селективность, полоса пропускания. Расчёт коэффициентов включения. Определение избирательности по зеркальному каналу и промежуточной частоте.
курсовая работа, добавлен 22.02.2012Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Выбор и анализ структурной схемы усилителя постоянного тока. Расчет дифференциального каскада усилителя, определение величины напряжения питания. Выбор транзисторов, расчет номинала резисторов. Коэффициент усиления конечного и дифференциального каскадов.
курсовая работа, добавлен 12.01.2015