Полупроводниковые светодиоды
Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.
Подобные документы
Характеристики технических средств охранной, пожарной и охранно-пожарной сигнализации, разрешенных к применению в настоящее время ГУ ВО МВД России и применяемых ранее. Классификация и виды извещателей. Организация охраны объектов с помощью сигнализации.
контрольная работа, добавлен 29.05.2010Изучение классификации фильтров на поверхностно-акустических волнах, их преимущества и сфера применения. Конструкция микросхем интеллектуального мониторинга на основе ПАВ-технологий. Расчет звукопровода узкополосного фильтра на акустических волнах.
курсовая работа, добавлен 17.06.2014Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
лекция, добавлен 19.11.2008Светодиод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Применение светодиодных ламп в качестве источников модулированного оптического излучения (оптоволокно, пульты дистанционного управления).
презентация, добавлен 01.02.2011Открытие эффекта комбинационного рассеяния света (эффект Рамана). Применение в волоконно-оптических линиях связи оптических усилителей, использующих нелинейные явления в оптоволокне (эффект рассеяния). Схема применения, виды и особенности устройства.
реферат, добавлен 29.12.2013Логические схемы комбинационных устройств, реализованных на дешифраторах и мультиплексорах на основе дешифраторов с восемью выходами, на основе мультиплексора с восемью информационными входами и на основе мультиплексора с четырьмя информационными входами.
отчет по практике, добавлен 18.10.2012Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Экономическая и производственная деятельность сортировочной дистанции сигнализации и связи. Оплата труда на железнодорожном транспорте. Охрана труда на предприятии. Устройства электрической централизации. Монтаж устройств и конструкция оборудования.
отчет по практике, добавлен 26.04.2014Преимущества третьего класса систем сигнализации ОКС №7, принцип его работы и составные части. Основы системы общеканальной сигнализации №7, ее функциональные уровни и режимы. Схема централизованной системы сигнализации по общему каналу и маршрутизации.
лабораторная работа, добавлен 15.07.2009Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Типы и основные группы кабелей. Назначение и структура коаксиального кабеля и витой пары. Среды передачи сигналов этих двух разновидностей Ethernet. Расчет компьютерной сети на основе коаксиального кабеля и витой пары на примере компьютерного класса.
курсовая работа, добавлен 15.12.2010Измерение S–параметров с помощью рефлектометров. Анализаторы цепей СВЧ. Принцип работы импульсного рефлектометра. Измерители комплексных коэффициентов передачи и отражения. Особенности применения рефлектометров. Методы калибровки измерителя S–параметров.
дипломная работа, добавлен 21.09.2012Солнечная батарея как объект моделирования. Общие принципы построения и отладки математической модели солнечных батарей. Кристаллические полупроводниковые материалы. Рекомендации по построению фотоэлектрических систем космического и наземного назначения.
автореферат, добавлен 20.05.2012- 90. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для получения наноразмерных структур БГУИР Кр 1-41 01 04 010 Пз
Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
курсовая работа, добавлен 14.05.2016 Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Системы охранной сигнализации, учет специфики охраняемых объектов, определяемой концентрацией, важностью и стоимостью охраняемых материальных ценностей. Подгруппы охраняемых объектов. Термины и определения, используемые в системах охранной сигнализации.
реферат, добавлен 21.01.2009Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат, добавлен 14.11.2008Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Закономерности систем, оценка их сложности. Модель типа "Черный ящик". Информационная модель на основе технологии IDEF1X. Функциональная модель на основе технологии IDEF0. Способность охранять частичную работоспособность при отказе отдельных элементов.
курсовая работа, добавлен 25.01.2015Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Функции основных блоков структурной схемы системы передачи дискретных сообщений. Определение скорости передачи информации по разным каналам. Принципы действия устройств синхронизации, особенности кодирования. Классификация систем с обратной связью.
курсовая работа, добавлен 13.02.2012Выбор метода модуляции, разработка схемы модулятора и демодулятора для передачи данных по каналу ТЧ. Расчет параметров устройства синхронизации. Методика коррекции фазо-частотной характеристики канала ТЧ. Кодирование и декодирование циклического кода.
курсовая работа, добавлен 22.10.2011Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014