Полупроводниковые резисторы
Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
Подобные документы
Основные функции вторичных измерительных преобразователей. Усилители, делители напряжения и мосты, фазометры и частотомеры. Специфика вторичных преобразователей для датчиков перемещений. Нелинейность вторичных преобразователей при аналоговой обработке.
реферат, добавлен 21.02.2011Отличительные функции и дополнительные возможности телефонных аппаратов. Разделение на четыре класса сложности в зависимости от конструктивного исполнения и выполняемых функций. Телефонометрические, электроакустические электрические и временные параметры.
реферат, добавлен 27.02.2009Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат, добавлен 13.06.2009Статистические характеристики и параметры передаваемого сообщения. Характеристики и параметры аналого-цифрового преобразования сообщения. Средняя квадратическая погрешность квантования. Основные характеристики и параметры сигналов дискретной модуляции.
курсовая работа, добавлен 24.10.2012- 105. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Основные особенности фазовращателей фазированных антенных решеток, управляющих фазой электромагнитной волны в излучателях. Характеристика видов фазовращателей: механические, полупроводниковые, ферритовые. Рассмотрение особенностей технологии MMIC.
курсовая работа, добавлен 26.12.2012Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Обзор способов передачи сообщений и способов приёма сообщений. Тип антенн и их параметры. Обоснование структурной схемы системы. Вид модуляции и параметры радиосигнала. Способы синхронизации и выбор формы синхросигнала. Характеристика и параметры помех.
курсовая работа, добавлен 23.12.2011Понятие случайных процессов, их математическое описание; показатели Ляпунова. Измерение вероятностных характеристик стационарных эргодических сигналов. Анализ распределения вероятностей методом дискретных выборок. Измерение корреляционных функций.
доклад, добавлен 20.05.2015Характеристика и технические параметры приемника телевизионного, основные и дополнительные требования к его качеству. Определение состава видов испытаний по контролю качества на воздействие внешних факторов и контролируемые параметры, выбор средств.
курсовая работа, добавлен 14.09.2010- 111. Построение и расчет статических характеристик электропривода системы генератор-двигатель системы Г-Д
Расчет статических характеристик электропривода системы генератор-двигатель. Определение динамических параметров и коэффициента форсировки. Расчет резисторов в цепи обмотки возбуждения генератора. Определение сопротивления резисторов R1, R2, R3 и R4.
лабораторная работа, добавлен 14.12.2010 Работа терморезисторов в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока для температурной компенсации различных элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Определение температур бесконтактными методами.
курсовая работа, добавлен 30.12.2014Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.
курсовая работа, добавлен 12.06.2010- 114. Параметры устройства, измеряющего толщину покрытия объекта и его метрологические характеристики
Обзор существующих методов и средств измерений расстояния: общие понятия и определения. Механические, электромагнитные, ультразвуковые, магнитные и вихретоковые толщиномеры. Особенности ультразвукового толщиномера А1210, его достоинства и недостатки.
курсовая работа, добавлен 21.03.2012 Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат, добавлен 14.02.2016Измерение оптических характеристик телескопических систем. Измерение увеличения телескопических систем. Измерение увеличения по линейному увеличению. Оценка качества изображения телескопических и микроскопических систем. Определение визуальной разрешающей
реферат, добавлен 11.12.2008Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
контрольная работа, добавлен 19.03.2011Обзор существующих методов и средств измерения расхода вещества. Скоростной метод измерения расхода. Измерение расхода на основе различных методов, их характеристика и сущность. Наименование объекта проектирования, назначение и область применения (ОП).
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Полупроводниковые соединения, получившие широкое применение в электронной технике. Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца (PbSe). Контроль электрофизических свойств, основные свойства и методы выращивания монокристаллов PbSe.
курсовая работа, добавлен 29.11.2010Измерение постоянного тока, расчет сопротивления шунта, определение погрешности измерения. Теоретические сведения. Параметры магнитоэлектрического прибора. Конcтруирование магнитоэлектрического прибора. Проверка миллиамперметра.
лабораторная работа, добавлен 10.06.2007Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Структурное проектирование устройства, выполняющего цифровую обработку информации. Основные характеристики выбранного микроконтроллера. Преобразователь ток-напряжение и интегрирующий усилитель.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Расход и потеря давления в гидравлической системе. Расходная характеристика нагнетательного элемента. Размеры элементов системы, перепада давлений на элементе. Динамическая и кинематическая вязкость воздуха. Коэффициенты гидравлического сопротивления.
практическая работа, добавлен 31.08.2010Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 22.11.2010Калориметрический метод измерения мощности. Согласование полных сопротивлений в тракте передачи энергии. Проточные (поточные) калориметрические ваттметры с непрерывно циркулирующей жидкостью. Производство и контроль ВЧ и СВЧ устройств и оборудования.
презентация, добавлен 28.03.2014Параметры оптических волокон. Методы измерения затухания, длины волны, расстояний, энергетического потенциала, дисперсии и потерь в волоконно-оптических линиях связи. Разработка лабораторного стенда "Измерение параметров волоконно-оптического тракта".
дипломная работа, добавлен 07.10.2013