Конструктивно-технологическое обеспечение производства вычислительной техники
Рассмотрение основных видов транзисторов: точеного, сплавного плоскостного, диффузионного, биполярного, эпитаксиального, полевого и фототранзистора. Применение эпитаксиального материала для изготовления транзисторов для усилителей и электронных ключей.
Подобные документы
Применение операционных усилителей для сложения двух постоянных, двух переменных, постоянного и переменного напряжений, дифференцирования и интегрирования входных сигналов. Переходной процесс в интеграторе, влияние на него амплитуды входного сигнала.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Процесс создания литературно-драматических радиовещательных программ. Запись голоса и музыки на студии: необходимая аппаратура, технологическая схема, программное обеспечение. Звуковые платы, анализ альтернативных видов носителей цифровой аудиоинформации.
курсовая работа, добавлен 09.01.2012Сферы и условия эффективного применения легированных полимеров, устройства на их основе. Функции и значение полимерной электроники: фотодиодов, транзисторов, светодиодов. Исследование и оценка главных преимуществ, недостатков электропроводящих полимеров.
контрольная работа, добавлен 08.06.2016Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа, добавлен 12.12.2011Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
курсовая работа, добавлен 06.04.2014Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Выбор материала для изготовления транзистора. Расчет полупроводниковой структуры, профиля легирования. Удельные поверхностные сопротивления базового и эмиттерного слоёв. Расчет импульсных характеристик. Технологические процессы при производстве прибора.
дипломная работа, добавлен 14.02.2016Зарождение и процесс технической эволюции вычислительной техники. Логарифмическая шкала и линейка. Графики, номограммы, планиметр. Изобретения электромеханического периода. "Изобретатель компьютера" К. Цузе. Изобретения советской научной школы.
курсовая работа, добавлен 23.08.2013Разработка усилителя в однокристальном исполнении. Использование полевых транзисторов в качестве активных элементов. Обеспечение минимизации дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот. Влияние входного сопротивления на коэффициент шума.
контрольная работа, добавлен 24.05.2015Расчет усилителя вертикального отклонения осциллографа, нагрузкой которого являются пластины вертикального отклонения электронно-лучевых трубок. Определение параметров выходного и входного каскадов, выбор транзисторов. Обеспечение плавной регулировки.
курсовая работа, добавлен 04.04.2012Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа, добавлен 11.02.2008Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.
курсовая работа, добавлен 15.10.2010Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.
курсовая работа, добавлен 03.03.2011Разработка структурной схемы устройства персонального вызова. Расчет полосы пропускания, допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор параметров транзисторов радиотракта. Расчёт усилителя радиочастоты. Применение микросхемы МС3362 и расчёт гетеродина.
курсовая работа, добавлен 27.11.2013Частота усиливаемых сигналов, дифференциальные параметры транзисторов, их равенство низкочастотным значениям. Определение сквозного коэффициента усиления по напряжению. Режимы короткого замыкания и холостого хода, входное и выходное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 25.08.2012Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа, добавлен 22.03.2015Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация, добавлен 14.11.2014Признаки импульсно-статических триггеров. Динамические триггеры, выполненные на основе МДП-транзисторов. Процесс записи информации в триггер. Схема квазистатических триггеров. Применение триггеров в схемотехнике для построения сдвигающих регистров.
реферат, добавлен 12.06.2009- 94. Конструкторско-технологическое проектирование функционального узла, расположенного на печатной плате
Конструирование радиоэлектронной аппаратуры. Объединение электронных компонентов. Расчет элементов печатной платы. Подготовка поверхностей заготовок. Технологический процесс изготовления двухслойной печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013 Частотные и временные характеристики усилителей непрерывных и импульсных сигналов. Линейные и нелинейные искажения в усилителях. Исследование основных параметров избирательных и многокаскадных усилителей. Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат, добавлен 15.11.2009Анализ технического задания. Выбор способа изготовления печатной платы, расчет конструктивно-технологических параметров, выбор элементов и материалов, расчет надежности. Технологический процесс изготовления реле, операционная карта изготовления.
курсовая работа, добавлен 03.07.2008Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа, добавлен 04.03.2015- 99. Усилители
Изучение методов измерения основных параметров операционных усилителей. Исследование особенностей работы операционного усилителя в режимах неинвертирующего и инвертирующего усилителей. Измерение коэффициента усиления инвертирующего усилителя.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2008 Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат, добавлен 07.10.2011