Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
Подобные документы
Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья, добавлен 22.06.2015Расчет энергии иона. Количественная интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов. Метод спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Форма энергетических спектров двухкомпонентных материалов. Спектр кремния с анатомами на поверхности.
контрольная работа, добавлен 14.11.2011Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад, добавлен 26.01.2011Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.
курсовая работа, добавлен 18.11.2021Ge/Si гетероструктуры с квантовыми точками, рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур Ge/Si. Методика и значение дифракции быстрых электронов.
курсовая работа, добавлен 28.08.2015Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.
курсовая работа, добавлен 01.01.2014Анализ противоречий в механизмах протекания электрического тока в проводниках. Обзор изменения состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, механизма диффузии и адсорбции. Исследование поверхности электродов кислотных аккумуляторных батарей.
контрольная работа, добавлен 14.11.2011Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат, добавлен 25.06.2004Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.
курсовая работа, добавлен 17.05.2009Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация, добавлен 26.10.2014