Выращивание плёнки GeSi и CaF2 на кремниевых подложках
Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
Подобные документы
Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014- 52. Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа, добавлен 20.06.2012 Разработка устройства, преобразующего аналоговый сигнал в эквивалентный ему цифровой код. Схема устройства, исследование модели модулей. Интерфейс модулей, архитектура счетчика. Исследование структурной модели устройства с использованием моделей узлов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2010Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Принцип действия и электрическая структурная схема проектируемого генератора квадратурных напряжений. Описание платы ввода-вывода NI PCI-6251 и коннекторного блока BNC-2120. Разработка программного обеспечения генератора, результаты работы программы.
курсовая работа, добавлен 08.01.2014- 56. Машинное зрение
Основные понятия оптики. Построение изображений с помощью интегральных линз Френеля. Защита интеллектуальной собственности, водяные знаки. Методика расчета кремниевых фотодиодов. Обработка и реконструкция изображений. Камеры и приборы с зарядовой связью.
реферат, добавлен 19.07.2010 Исследование особенностей распространения радиоволн в городской местности. Поляризационные характеристики лучей радиоканала и флуктуации уровня сигнала в городе. Расчет потерь сигнала радиосвязи и исследование распределение поля в городских условиях.
курсовая работа, добавлен 06.06.2014- 58. Линии задержки
Моделирование прямоугольного импульса с определенной длительностью фронта. Синтезирование электрической принципиальной схемы с учетом параметров элементов. Графики входных и выходных напряжений. Влияние длительности фронта на искажение выходного сигнала.
лабораторная работа, добавлен 16.06.2009 Выбор варианта схемы. Составление системы уравнений для расчета токов и напряжений. Определение выражения для комплексного коэффициента передачи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера. Построение графиков АЧХ и ФЧХ.
курсовая работа, добавлен 23.01.2013Преобразователи тока и напряжения, их свойства и применение. Понятие коэффициента трансформации, реакторы и трансреакторы. Фазоповоротные и частотно-зависимые схемы. Насыщающиеся трансформаторы тока, преобразователи синусоидальных токов и напряжений.
курсовая работа, добавлен 11.08.2009Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация, добавлен 24.05.2014Общая характеристика кинотеатра "Родео Драйв". Спецификация кинотехнологического оборудования большого зала. Фотография механизма транспортирования ленты кинопроектора. Первичные средства тушения пожаров. Строение цветной плёнки и назначение её слоёв.
отчет по практике, добавлен 05.12.2010Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.
лабораторная работа, добавлен 08.06.2023Тенденции развития оптических сетей связи. Проблемы распространения света в оптическом волокне. Технологии широкополосного доступа ADSL и FTTХ. Исследование работы оборудования FTTB в одноволоконном режиме. Пути увеличения пропускной способности ВОЛС.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат, добавлен 22.02.2009Методика расчета двухкаскадного трансформаторного усилителя мощности, выполненного на кремниевых транзисторах структуры p-n-p, и его КПД. Особенности составления эквивалентной схемы усилителя для области средних частот с учетом структуры транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.02.2010Тенденции развития мировой микроэлектроники. Новые методы оценки сегментации рынка. Проблемы кремниевых заводов. Развитие традиционных технологий корпусирования. Системы на кристалле. Технология сборки на пластине. Органическая и печатная электроника.
реферат, добавлен 10.03.2013Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.
дипломная работа, добавлен 26.10.2016Теоретические сведения об указателях скорости и высоты полета. Применение аналого-цифровых преобразователей, кремниевых датчиков давления. Микросхемы управления цифро-буквенными индикаторами. Расчет количества проводов, мощности и надежности системы.
дипломная работа, добавлен 12.12.2011Особенности функционирования схем с взаимодополняющими транзисторами (КМДП). Конструктивно-технологические варианты их исполнения. Преимущества, недостатки и перспективы использования КМДП-структур. Конструкции элементов КМДП-БИС на сапфировых подложках.
реферат, добавлен 12.06.2009Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
курсовая работа, добавлен 21.09.2010Применение операционных усилителей для сложения двух постоянных, двух переменных, постоянного и переменного напряжений, дифференцирования и интегрирования входных сигналов. Переходной процесс в интеграторе, влияние на него амплитуды входного сигнала.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Исследовано влияние амплитуды возбуждения, питающих напряжений и степени связи с нагрузкой на режим работы, на форму импульса и на величину постоянных составляющих токов генераторов с внешним возбуждением – усилителя мощности. Импульсы тока коллектора.
лабораторная работа, добавлен 19.09.2019Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа, добавлен 28.09.2012Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012