Оптоэлектронная техника
Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
Подобные документы
- 1. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для получения наноразмерных структур БГУИР Кр 1-41 01 04 010 Пз
Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
курсовая работа, добавлен 14.05.2016 Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа, добавлен 09.03.2009Упрощенная модель кремниевого биполярного транзистора. Частичная схема для расчета тока при комбинации заданных входных сигналов "1110". Максимальные мощности резисторов. Разработка топологии интегральной микросхемы, рекомендуемые размеры подложек.
контрольная работа, добавлен 15.01.2015Полупроводниковая пластина поступающая на операцию разделения и аккумулирующая значительные трудовые и материальные' затраты, обладает большой стоимостью. Требования к операции разделения пластин формируются в соответствии с требованиями к кристаллу.
реферат, добавлен 09.01.2009Значение оценки профиля подстилающей поверхности при неподвижном носителе. Анализ структурной схемы оптимального измерителя профиля отражающей поверхности. Структура алгоритма измерения профиля применительно к условиям получения оценки отклонения.
реферат, добавлен 06.04.2011Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа, добавлен 02.06.2011Измерительная техника на сетях современных телекоммуникаций. Состояние развития рынка измерительной техники. Системное и эксплуатационное измерительное оборудование. Типовые каналы и тракты первичной сети. Современные оптические системы передачи.
дипломная работа, добавлен 01.06.2012Проблемы и области применения беспроводных локальных сетей. Физические уровни и топологии локальных сетей стандарта 802.11. Улучшенное кодирование OFDM и сдвоенные частотные каналы. Преимущества применения техники MIMO (множественные входы и выходы).
контрольная работа, добавлен 19.01.2014Анализ эксплуатации средств вычислительной техники и факторов, влияющих на их работоспособность. Требования к функциональным характеристикам и конструкции элементов вычислительной техники. Качества транспортируемой, морской, бортовой, портативной техники.
курсовая работа, добавлен 05.05.2013Ознакомление с оптоэлектронными приборами - устройствами, в которых при обработке информации происходит преобразование электрических сигналов в оптические и обратно. Оптрон - основной элемент оптоэлектроники. Принцип действия инжекционного светодиода.
реферат, добавлен 06.01.2009Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Основные вопросы курса лекций для студентов специальности "Управление и информатика в технических системах". Методы формализованного построения устройств цифровой техники на микросхемах широкого применения. Интегральные микросхемы систем информатики.
учебное пособие, добавлен 05.01.2008Принцип работы и основные технические характеристики электромеханических измерительных приборов. Расчет и изготовление прибора для измерения параметров реле. Выбор типа регулирующего транзистора и его режима. Достоинства транзисторных стабилизаторов.
курсовая работа, добавлен 22.06.2010Сущность, условия решения и критерий оптимальности задачи измерения параметров сигнала. Постановка задачи измерения параметров сигнала. Классификация измерителей. Следящий режим измерения. Автоматические измерители работающие без участия человека.
реферат, добавлен 29.01.2009Сущность понятий термопара и терморезистор. Основные виды тепловых преобразователей. Применение термоэлектрических преобразователей в устройствах для измерения температуры. Характерные свойства металлов, применяемых для изготовления терморезисторов.
контрольная работа, добавлен 18.11.2010Свойства электромагнитных волн, лежащие в основе работы радиосистем извлечения информации. Измерение расстояния, угловых координат и радиальной скорости. Влияние кривизны земной поверхности и атмосферной рефракции на точность радиолокационных наблюдений.
реферат, добавлен 13.10.2013Запись голосовой информации. Применение диктофонной техники в качестве промежуточного звена регистрации информации при создании машинописных документов. Технологии создания электронных документов, автоматический ввод текста с диктофона в компьютер.
курсовая работа, добавлен 21.10.2009Назначение и функции интернет-магазина компьютерной техники "Electronix": стратегия разработки, требования к архитектуре; преимущества. Технология создания макета web-сайта с использованием PHP-скриптинга. Расчет финансовых затрат на создание проекта.
дипломная работа, добавлен 10.06.2013Волоконный световод как основной элемент оптического кабеля. Физические и технические особенности светопередачи. Общие сведения об оптоволокне и их типы. Физика светопередачи и основы теории затухания. Типичный спектр поглощения кварцевого световода.
курс лекций, добавлен 13.12.2009Область науки и техники, объединяющая методы и средства обнаружения, измерения координат. Два вида радиолокации. Активная радиолокация с пассивным ответом. Принцип действия импульсного метода. Использование радиолокации в военных целях и в космосе.
презентация, добавлен 15.11.2010Физические основы электрокардиографии. Виды помех и их устранение. Погрешности измерения амплитудно-временных параметров ЭКГ. Разработка имитатора сигналов: узел контроля напряжения батареи, расчет блока питания. Проведение поверки электрокардиографа.
магистерская работа, добавлен 05.02.2012Проблема качества изделий электронной техники и роль взаимозаменяемости, стандартизации, технических измерений и погрешностей. Структурные схемы приборов прямого и уравновешенного преобразования. Характеристики время-импульсного цифрового вольтметра.
контрольная работа, добавлен 22.10.2009Исследование активных висмутовых центров и обзор области применения волоконных висмутовых усилителей. Изучение конструкции современных усилителей на основе висмута, пути их развития в волоконной оптике. Устройство лазера на основе висмутового волокна.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009