Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
Подобные документы
Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.
курсовая работа, добавлен 17.03.2011Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 10.02.2016Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа, добавлен 10.06.2013Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие, добавлен 25.03.2009Классификация и параметры стабилизаторов напряжения тока. Характеристики стабилитрона и нагрузочного сопротивления. Компенсационный транзистор постоянного напряжения с непрерывным регулированием. Различные параметры мощности импульсного стабилитрона.
реферат, добавлен 18.07.2013Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Описание разработки прибора. Параметры оптических приборов, используемых в проекте. Электрические и тепловые характеристики реле КР293КП4В. Выходная емкость реле в выключенном состоянии. Напряжение его изоляции. Характеристики фотодиода ФД263-01.
курсовая работа, добавлен 26.04.2010Описание принципа действия принципиальной электрической схемы устройства. Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов. Монтаж аппаратуры на печатных платах. Порядок сборки и эксплуатации.
курсовая работа, добавлен 16.05.2017Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013Параметры многолучевых приборов. Конструкция и параметры резонаторных систем. Достоинства и недостатки многоканальных и кольцевых резонаторов. Однозазорные тороидальные клистронные резонаторы с упаковкой пролетных каналов в единой пролетной трубе.
контрольная работа, добавлен 28.05.2012Расчет схемы частотного дробного детектора. Определение типа вакуумного и полупроводникового диода. Выбор средства обеспечения избирательности супергетеродинного приемника по зеркальному и соседнему каналам. Ослабление одиночного колебательного контура.
контрольная работа, добавлен 19.04.2012Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.
реферат, добавлен 03.03.2011Определение основных параметров микропроцессора. Разработка структурной, функциональной и принципиальной схемы, расчет временных параметров. Принципы формирования структуры программного обеспечения и определение основных требований, предъявляемых к нему.
курсовая работа, добавлен 14.06.2014Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция, добавлен 24.01.2014Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Выражение параметров передаточных функций, структурная схема. Определение области устойчивости по коэффициенту усиления разомкнутой системы. Синтез корректирующего устройства. Определение параметров фильтра. Оценка качества переходного процесса системы.
контрольная работа, добавлен 07.12.2013- 119. Полевые транзисторы
Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат, добавлен 27.05.2012 Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа, добавлен 14.12.2013Иерархическая структура радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания линейного тракта приемника. Определение рабочей точки транзистора. Основные параметры радиоприемников. Зависимость входной проводимости транзистора от частоты и тока коллектора.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Разработка схемы электрической принципиальной микрофонного усилителя. Определение параметров печатной платы. Конструктивное выполнение разрабатываемого устройства. Выбор типов элементов. Определение класса точности, электрических параметров платы.
курсовая работа, добавлен 27.05.2014- 123. Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
Описание предметной области по основным характеристикам и частотным показателям качества системы автоматического управления, разработка структуры Интернет-подсистемы для исследования ее устойчивости. Изготовление эпитаксиально-планарного транзистора.
дипломная работа, добавлен 27.05.2013 Анализ измерительных устройств для измерения электрического тока, напряжения и сопротивления. Расчёт параметров четырехплечего уравновешенного моста постоянного тока. Оценивание характеристик погрешности и вычисление неопределенности измерений.
курсовая работа, добавлен 19.06.2012Определение звуковой катушки и параметров магнитного зазора громкоговорителя. Расчет диффузора, гибкой подвески, магнитной системы и внешнего оформления устройства. Определение звукового давления. Расчет частотной характеристики громкоговорителя.
курсовая работа, добавлен 08.09.2012