Технология получения монокристаллического InSb p-типа
Полупроводниковые соединения, получившие широкое применение в электронной технике. Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца (PbSe). Контроль электрофизических свойств, основные свойства и методы выращивания монокристаллов PbSe.
Подобные документы
Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.
курсовая работа, добавлен 16.04.2012Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.
реферат, добавлен 17.03.2011Применение усилителей со связанными контурами в технике радиосвязи, характеристика их состава и свойств. АЧХ связанных контуров при критической связи и при связи больше критической. Виды настройки (резонанса) и назначение видов связанных контуров.
лекция, добавлен 25.04.2009Технические характеристики ИС, необходимые для успешного применения ИС ТТЛ в электронной вычислительной аппаратуре. Порядок и методы обеспечения помехоустойчивости, ее разновидности и характеристика, способы повышения. Правила электромонтажа ИС ТТЛ.
учебное пособие, добавлен 15.04.2009Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009Этапы построения модели установки соединения передачи сообщений между АТС с помощью шлюза без привратника. Исследование порядка, особенностей процесса установления соединения шлюзом без привратника в IP-телефонии. Сценарий установления соединения шлюзом.
контрольная работа, добавлен 20.02.2011Модель электрофизических параметров атмосферы. Расчет фазовых искажений сигнала при прохождении через тропосферную радиолинию. Применение линейной частотной модуляции при зондировании. Моделирование параметров радиосигнала после прохождения атмосферы.
дипломная работа, добавлен 15.01.2012Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Компоненты узлов оптических систем и их соединение. Сборка и юстировка оптических приборов. Материалы, применяемые для соединения. Оптические клеи и бальзамы. Технология соединения оптических деталей. Подготовка, сортировка и комплектация деталей.
реферат, добавлен 23.11.2008Обоснование способа и силовой схемы регулирования выпрямленного напряжения. Расчет параметров управляемого выпрямителя и выбор типа силовых полупроводниковых приборов. Анализ работы управляемого выпрямителя. Система импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 31.03.2018Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем.
курсовая работа, добавлен 15.06.2013Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.
контрольная работа, добавлен 21.02.2016Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.
контрольная работа, добавлен 12.02.2016Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
отчет по практике, добавлен 07.01.2013Характеристика свойств адгезивов. Назначение: фиксация компонентов. Выбор адгезива. Основные требования, предъявляемые к адгезивам. Технология нанесения адгезива. Метод трафаретной печати, групповой перенос капель и метод капельного дозированная.
реферат, добавлен 21.11.2008Основные методы вискозиметрии: капиллярный, вибрационный, ротационный, ультразвуковой; применение и классификация вискозиметров. Проект мобильного ультразвукового вискозиметра с цифровой индикацией: свойства, принцип работы; построение сборочного чертежа.
курсовая работа, добавлен 12.11.2013- 42. Технический контроль электронной подстанции с опорно–транзитной станцией в системе коммутации DX-200
Организация связи, сети и технической эксплуатации АТС, программное обеспечение для техобслуживания станции. Организация контроля аварийной сигнализации выносных концентраторов. Разработка алгоритмов определения и вывода внешних аварий с концентраторов.
дипломная работа, добавлен 09.04.2012 Общие сведения о сегнетоэлектриках, диэлектрические свойства и электропроводность, линейные и нелинейные свойства. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, области спонтанной поляризации (доменов). Направления применения сегнетоэлектрических кристаллов.
курсовая работа, добавлен 29.07.2009Изучение электрорадиоэлементов, которые включают соединители, резисторы, конденсаторы, индуктивности, и интегральных микросхем, включающих полупроводниковые и гибридные, устройства функциональной микроэлектроники. Оптическая запись и обработка информации.
курс лекций, добавлен 23.07.2010Файловая структура страницы. Доменное имя сайта. Сущность статической и динамической Web-страницы. Принципы построения компьютерных сетей. Алгоритм работы электронной почты. Протоколы безопасного соединения. Управление ресурсами корпоративной сети.
презентация, добавлен 16.01.2015Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя. Расчет режима базовой диффузии, профиля распределения примеси в эмиттерной области, окисления при получении диэлектрических карманов и диэлектрической пленки, для создания защитной маски.
курсовая работа, добавлен 09.09.2014Идентификация по отпечаткам пальцев как самая распространенная биометрическая технология. Классификация существующих сканеров отпечатков пальцев по используемым физическим принципам: оптические, роликовые, полупроводниковые, радиочастотные, термосканеры.
контрольная работа, добавлен 21.05.2013Технологический процесс гибридных микросхем. Процессы формирования на подложках пассивных пленочных элементов и проводников соединений. Контроль пассивных элементов на подложках. Технология получения ситалла. Резка слитков и ломка пластин на платы.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Основные параметры широкополосных аналоговых сигналов, модели электронных ключей: электронные на диодах, биполярные, полевые транзисторы. Расчет входного и выходного усилителя и источника питания. Анализ структурной схемы блока электронной коммутации.
дипломная работа, добавлен 14.11.2017Динамические свойства объекта управления. Динамические свойства последовательного соединения исполнительного механизма и объекта управления. Разработка релейного регулятора, перевод объекта из начального состояния в конечное. Выбор структуры и параметров.
курсовая работа, добавлен 29.01.2009