Общие сведения о полупроводниках
Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
Подобные документы
Исследование и оценка фотовольтаического эффекта в неоднородной области пленки силицида титана. Обнаружение сигналов фотопроводимости и фотоЭДС. Колоколообразный вид зависимости фотоЭДС от толщины слоя. Модель приповерхностной области кристалла.
статья, добавлен 22.06.2015Строение твердого тела. Понятие об энергетических уровнях. Классификация тел по электропроводности. Механизм образования электронной и дырочной проводимости. Примесные и собственные полупроводники. Области применения полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 12.02.2014История развития оптической спектрометрии. Физические основы методики измерений. Поглощение в твердых телах и молекулах. Типы абсорбционных спектрометров. Колориметры и фотоколориметры, спектрофотометры. Устройство и основные узлы спектрофотометра.
курсовая работа, добавлен 08.05.2011Классификация и типы полупроводников, их характеристики и свойства. Контактные явления на границе раздела полупроводников различных типов. Изучение работы соответствующих устройств, резонанс токов и напряжений. Изучение вольтмперной характеристики диода.
дипломная работа, добавлен 03.07.2015Движение центра масс механической системы. Количество движения точки и импульс силы. Теорема об изменении количества движения механической системы. Движение точки под действием центральной силы. Закон сохранения кинетического момента механической системы.
презентация, добавлен 09.11.2013Статическое электричество, изобретение первого генератора. Взаимодействие заряженных тел. Принцип действия электроскопа. Электрическое поле как одна из составляющих электромагнитного поля. Движение свободных электронов. Элементы электрической цепи.
презентация, добавлен 22.05.2012Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция, добавлен 14.11.2008Ток и плотность тока проводимости. Закон Ома в дифференциальной форме. Стороннее электрическое поле. Законы Кирхгофа в дифференциальной форме. Уравнение Лапласа для электрического поля в проводящей среде. Дифференциальная форма закона Джоуля-Ленца.
презентация, добавлен 13.08.2013Электронное строение атомов переходных элементов. Физические свойства редкоземельных металлов, их применение. Решение уравнения Шредингера для кристалла. Современные методы расчета зонной структуры. Расчет электрона энергетического спектра неодима.
дипломная работа, добавлен 27.08.2012Квантовый перенос в мезоскопических системах. Рассеяние на примесных атомах. Резонансное туннелирование электронов. Электрон-фононное рассеяние. Рассеяние на шероховатостях границы раздела. Межподзонное рассеяние. Эффект всплеска дрейфовой скорости.
контрольная работа, добавлен 26.08.2015Элементарный электрический заряд. Закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Напряженность поля точечного заряда. Линии напряженности силовые линии. Энергия взаимодействия системы зарядов. Циркуляция напряженности поля.
презентация, добавлен 23.10.2013Электролюминесценция - результат излучательной рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике. Технология построения дисплейных панелей с использованием светодиодов из светоизлучающих органических материалов. Структура и характеристики OLED-технологий.
реферат, добавлен 06.05.2014Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Электрические свойства кристаллов. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия.
курсовая работа, добавлен 08.12.2010Определение длины проволоки для намотки резистора. Концентрация электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике. Диффузионная длина движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале. Проводимость конденсаторной керамики.
контрольная работа, добавлен 12.11.2013Аккумуляция энергии в ячейке с МЖ. Анизотропия электропроводности МЖ, наведенная внешним воздействием. Действие электрического и магнитного полей на структурные элементы МЖ. Математическая теория проводимости МЖ. Результаты эксперимента.
дипломная работа, добавлен 12.03.2007Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.
лабораторная работа, добавлен 21.01.2011Понятие электронной микроскопии как совокупности методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктур тел, их локального состава. Содержание телевизионного принципа развертки тонкого пучка электронов или ионов по поверхности образца.
презентация, добавлен 22.08.2015- 93. Фотоэффект
Три основных вида фотоэффектов. Фотоэффект - испускание электронов телами под действием света, который был открыт в 1887 году Герценом. Промышленное производство солнечных батарей на гетероструктурах. Практическое применение явления фотоэффекта.
практическая работа, добавлен 15.05.2009 - 94. Магнитное поле
Магнитное поле — составляющая электромагнитного поля, появляющаяся при наличии изменяющегося во времени электрического поля. Магнитные свойства веществ. Условия создания и проявление магнитного поля. Закон Ампера и единицы измерения магнитного поля.
презентация, добавлен 16.11.2011 Открытие катодных лучей. Действие катодных лучей на коллекторе. Отклонение катодных лучей под действием внешнего электрического поля. Исследования А.Г. Столетова, Леннарда и Томсона. Коротковолновая граница спектра тормозного рентгеновского излучения.
презентация, добавлен 23.08.2013Свойства силовых линий. Поток вектора напряженности электрического поля. Доказательство теоремы Гаусса. Приложение теоремы Гаусса к расчету напряженности электрических полей. Силовые линии на входе и на выходе из поверхности. Обобщенный закон Кулона.
реферат, добавлен 08.04.2011Структурная схема эффекта Поккельса - изменения показателя преломления вещества под действием внешнего электрического поля. Характеристики ячеек Поккельса. Условия эксплуатации оптико-электронного трансформатора напряжения. Погрешность его измерения.
реферат, добавлен 19.05.2014- 98. Основы геофизики
Предмет физики Земли. Геофизические поля. Методы исследований, предназначенных для наблюдений в атмосфере, на земной поверхности, в скважинах и шахтах, на поверхности и в глубине водоёмов. Общие сведения о Земле. Глобальные и промежуточные границы.
презентация, добавлен 24.10.2013 Поиск местонахождения точки заряда, отвечающей за его устойчивое равновесие. Нахождение зависимости напряженности электрического поля, используя теорему Гаусса. Подбор напряжения и заряда на каждом из заданных конденсаторов. Расчет магнитной индукции.
контрольная работа, добавлен 28.12.2010Ознакомление с особенностями физического электрического поля. Расчет силы, с которой электрическое поле действует в данной точке на положительный единичный заряд (напряженности в данной точке), а также потенциала, создаваемого системой точечных зарядов.
курсовая работа, добавлен 04.01.2015