Особенности структурного состава радиотехнических систем

Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.

Подобные документы

  • Методика расчета геометрических размеров элементов схемы широкополосного усилителя, его основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики. Особенности конструирования и анализ эскиза топологии усилителя с помощью пакета программ AutoCAD.

    курсовая работа, добавлен 01.11.2010

  • Особенности передачи сигналов по оптическому кабелю, распространение излучения по световоду. Частотные и временные, собственные и частные характеристики оптического кабеля. Диаграмма излучения и поглощения энергии в световоде. Искажения сигналов.

    реферат, добавлен 20.02.2011

  • Определение требуемой ширины полосы частот ФП и длительности тактового интервала. Особенности расчета минимальной мощности оптического излучения на входе фотоприемника. Выбор типа транзистора входного каскада усилителя ФПУ. Выбор необходимого фотодиода.

    курсовая работа, добавлен 14.01.2013

  • Способность радиотехнической системы функционировать с заданным качеством в условиях радиоэлектронного противодействия. Обоснование необходимости использования и совершенствования помехозащищенных радиотехнических систем, сущность их скрытности.

    курсовая работа, добавлен 09.10.2013

  • Обзор оптических свойств преобразователей оптического излучения при разных температурах. Изучение возможностей прибора для нагревания кристаллов, собранного на базе ПИД-регулятора ОВЕН ТРМ101. Настройка прибора, разработка инструкции по пользованию им.

    дипломная работа, добавлен 30.06.2014

  • Получение гармонических колебаний. Параметры колебательного контура. Коды, используемые в радиосвязи. Амплитудная, частотная и фазовая модуляции. Передача непрерывных сигналов цифровым способом. Распространение радиоволн различных частотных диапазонов.

    учебное пособие, добавлен 19.01.2012

  • Установка для трафаретной печати. Изготовление микрополосковых плат по толстопленочной технологии. Процессы обеспечения электрических контактов. Сварка плавлением. Задачи и принципы микроэлектроники. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем.

    реферат, добавлен 15.12.2015

  • Обоснование выбора датчика. Выбор микросхемы AD594, микроконтроллера. Блок–схема для программирования МК АТmega8. Подключение микросхемы к термопарам. Подключение одиночного и двойного питания. Схема соединения, обеспечивающая равенство температур.

    курсовая работа, добавлен 23.12.2015

  • Основные структуры, характеристики и методы контроля интегральных микросхем АЦП. Разработка структурной схемы аналого-цифрового преобразователя. Описание схемы электрической принципиальной. Расчет надежности, быстродействия и потребляемой мощности.

    курсовая работа, добавлен 09.02.2012

  • Способы совершенствования помехозащищенных радиотехнических систем (РТС), анализ их основных характеристик и параметров. Методы повышения скрытности РТС, их устойчивости к преднамеренным помехам. Оценка эффективности предлагаемых технических решений.

    дипломная работа, добавлен 17.04.2015

  • Сущность и характеристика излучения, его разновидности и вычисления. Основные особенности пространственной структуры излучения. Проекции волновых векторов на координатные оси. Фазочная и амплитудно-частотная характеристика свободного пространства.

    реферат, добавлен 28.01.2009

  • Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий.

    реферат, добавлен 12.06.2009

  • Разработка микроконтроллерной системы, выполняющей функциональный контроль цифровых интегральных микросхем. Технологические инструкции по эксплуатации микроконтроллерных систем, основные рекомендации по применению методов энерго- и материалосбережения.

    курсовая работа, добавлен 23.12.2012

  • Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.

    реферат, добавлен 14.11.2008

  • Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат, добавлен 10.12.2009

  • Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 15.07.2012

  • Обобщенная структурная схема радиотехнической следящей системы. Основные типы следящих систем. Результат нелинейного преобразования входного и опорного сигналов в дискриминаторе. Дискриминационная характеристика. Характеристики составляющей шума.

    реферат, добавлен 21.01.2009

  • Применение селективных систем преселектора с целью подавления помех по дополнительным каналам приема. Расчет одноконтурной входной цепи. Выбор интегральных микросхем. Требования, предъявляемые к схеме питания приемного устройства, его структурная схема.

    реферат, добавлен 02.03.2011

  • Принцип действия прибора, его основные параметры и характеристики. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Максимальный прямой ток через переход. Расчёт активных элементов интегральных микросхем. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа, добавлен 11.12.2016

  • Климатические воздействия при эксплуатации РЭСИ подразделяют на естественные и искусственные. Микроэлементы и интегральные микросхемы, находящиеся в зоне воздействия радиоактивных излучений, могут существенно изменять свои параметры и выходить из строя.

    реферат, добавлен 14.01.2009

  • Программные средств для проектирования радиотехнических устройств. Основные технические возможности программы Microsoft Word. Сравнительные характеристики программ для математических расчётов. Программы моделирования процессов в радиоэлектронных схемах.

    контрольная работа, добавлен 27.01.2010

  • Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.

    дипломная работа, добавлен 20.06.2012

  • Антенны как устройства, предназначенные для излучения и приема радиоволн, принцип их действия, внутреннее устройство и элементы. Проектирование двухэлементной антенны с двумя вертикальными активными полуволновыми вибраторами для заданной частоты.

    контрольная работа, добавлен 26.12.2013

  • Особенности распространения радиоволн в системах мобильной связи. Разработка и моделирование программного обеспечения для изучения моделей распространения радиоволн в радиотелефонных сетях для городских условий. Потери передачи в удаленных линиях.

    дипломная работа, добавлен 20.10.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.