Исследование спектральных свойств кристалла Tm:CaF2
Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
Подобные документы
Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.
дипломная работа, добавлен 06.06.2010Cпособы точного решения уравнения Шредингера. Любое твердое тело представляет собой систему, состоящую из огромного числа ядер и ещё большего числа электронов. Обобществление электронов в кристалле. Электронные облака внутренних оболочек атома.
реферат, добавлен 10.12.2008Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
курсовая работа, добавлен 05.11.2015Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа, добавлен 07.06.2011Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа, добавлен 30.05.2015Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа, добавлен 22.08.2013Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.
курсовая работа, добавлен 02.04.2014Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2014Расчет потерь в инверторе. Максимальное значение среднего выпрямленного тока. Расчет потерь в выпрямителе для установившегося режима электропривода. Максимальное допустимое переходное сопротивление охладитель – окружающая среда, температура кристалла.
курсовая работа, добавлен 17.02.2015Рассмотрение структурной и функциональной схем для часов. Построение графа управляющего автомата. Кодирование входных и выходных сигналов. Разработка 12-часового режима работы и блока отключения индикаторов. Определение площади кристалла микросхемы.
курсовая работа, добавлен 27.04.2011Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа, добавлен 19.01.2016Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа, добавлен 14.12.2013Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 18.02.2010Цифровые оптические вычислительные машины. Некогерентные излучатели, принцип действия светодиодов. Явление спонтанной инжекционной электролюминисценции. Снижение доли поглощаемого внутри кристалла излучения – три метода борьбы. Когерентные излучатели.
контрольная работа, добавлен 21.02.2009Общая характеристика работы лазеров. Рассмотрение импульсного "режима свободной генерации", генерации "пичков". Подробное изучение методов получения коротких мощных импульсов излучения лазера с использованием режима модуляции добротности резонатора.
реферат, добавлен 21.08.2015Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Моделирование логической схемы интегрального транзистора для проверки четности 2-х байтовой посылки. Расчет параметров модели Гуммеля-Пуна и построение базовой ячейки в программе Micro-cap. Топологические чертежи базовой ячейки и разводки кристалла.
дипломная работа, добавлен 06.07.2012Монтаж с использованием эвтектических сплавов, клеев. Контактные площадки кристаллов и корпусов. Присоединение тонких алюминиевых или золотых проволочек. Методы присоединения электродных выводов. Монтаж перевернутого кристалла и его разновидности.
реферат, добавлен 14.01.2009Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 09.01.2009Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа, добавлен 01.11.2010Особенности цоколевки электронно-оптических преобразователей, их селекция и контроль. Сборка узлов квантовых генераторов. Основные требования к оптической системе квантового генератора на твердом теле. Юстировка резонатора с вынесенными зеркалами.производ
реферат, добавлен 12.12.2008Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.
дипломная работа, добавлен 26.10.2016Сравнительный анализ кристаллических иттербий-эрбиевых сред для полуторамикронных лазеров. Пороги генерации сенсибилизированной трехуровневой лазерной среды. Способы получения образцов кристалловолокон на основе ниобата лития. Метод лазерного разогрева.
дипломная работа, добавлен 02.09.2015Сущность метода частотно-фазовой автоматической подстройки частоты в тракте формирования и генерации радиопередающего устройства. Фазовый анализ генератора Мейснера. Способы улучшения динамических свойств системы и повышения ее помехоустойчивости.
курсовая работа, добавлен 10.01.2014Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015