Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов

Создание систем на кристалле. Структурный принцип собственной компенсации влияния проходных емкостей. Применение принципа собственной компенсации. Взаимная компенсация емкостей подложки и нагрузки. Структурная оптимизация дифференциальных каскадов.

Подобные документы

  • Усилительный каскад с применением транзистора как основа электроники. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2009

  • Определение емкости телефонной сети района, числа телефонов и таксофонов. Расчет числа соединительных линий, емкостей межстанционных кабелей. Выбор системы построения абонентских линий, диаметра жил. Проект магистральной сети и кабельной канализации.

    курсовая работа, добавлен 12.09.2009

  • Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.

    курсовая работа, добавлен 24.11.2013

  • Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.

    реферат, добавлен 22.01.2013

  • Система схемотехнического моделирования электронных устройств. Математическое описание объектов управления; определение параметров технологических объектов. Оценка показателей качества САУ. Расчет линейных непрерывных систем, их структурная оптимизация.

    курс лекций, добавлен 06.05.2013

  • Характеристика основных задач электронных схем. Характеристика схемы усилительного каскада, назначение топологии электрических схем и усилительного каскада с общим эмиттером Особенности составления матрицы узловых проводимостей. Применение ППП "MicroCap".

    контрольная работа, добавлен 27.04.2012

  • Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.

    курсовая работа, добавлен 01.11.2010

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация, добавлен 29.05.2010

  • Технические характеристики, описание тела, структура и принцип работы программы виртуального синтеза цифровых схем, а также возможности ее применения в учебном процессе. Анализ проблем эмуляции рабочей среды для построения и отладки электронных устройств.

    курсовая работа, добавлен 07.09.2010

  • Изучение принципов работы жидкокристаллических дисплеев, плазменных панелей. Исследование характеристик полупроводниковых приборов и электронных устройств: полевых транзисторов, диодов, усилительных каскадов. Двоичные системы счисления в электронике.

    курсовая работа, добавлен 24.10.2015

  • Компенсация напряжения сдвига операционных усилителей, их свойства и принцип работы. Исследование работы инвертирующего, неинвертирующего и дифференциального включения операционного усилителя. Измерение коэффициента ослабления синфазной составляющей.

    лабораторная работа, добавлен 16.12.2015

  • Понятие структурной схемы и ее звеньев, основные типы соединений. Правила преобразования структурных схем линейных систем. Вычисление передаточной функции одноконтурной и многоконтурной систем. Порядок переноса и перестановки сумматоров и узлов схем.

    реферат, добавлен 31.01.2011

  • Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.

    контрольная работа, добавлен 10.06.2013

  • Понятие электронного усилителя, принцип работы. Типы электронных усилителей, их характеристики. Типы обратных связей в усилителях и результаты их воздействия на работу электронных схем. Анализ электронных усилителей на основе биполярных транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 03.07.2011

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация, добавлен 29.11.2013

  • Обобщенная структура перестраиваемых ARC-схем. Описание их модели матрично-векторной системой уравнений. Особенности их динамического диапазона и частотных свойств, расчет параметров. Общая характеристика процедуры синтеза интеграторных структур.

    курсовая работа, добавлен 05.03.2011

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.

    реферат, добавлен 14.03.2010

  • Структурная схема разрабатываемого устройства. Синтез схемы блока АЛУ и блока признаков результата. Номинальные значения параметров компонентов. Открытие созданной принципиальной схемы. Анализ переходных процессов. Выполнение логических операций.

    дипломная работа, добавлен 29.09.2014

  • Виды постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), их характеристики, принцип работы и строение. Исследование принципа работы ПЗУ с помощью программы Eltctronics WorkBench. Описание микросхемы К155РЕ3. Структурная схема стенда для изучения принципа работы ПЗУ.

    дипломная работа, добавлен 29.12.2014

  • Обзор классификации волоконно-оптических кабелей, электронных компонентов систем оптической связи. Характеристика принципа передачи света и срока службы источников света. Описания методов сращивания отдельных участков кабелей, длины оптической линии.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2011

  • Характеристика этапов проектирования электронных систем. Применение высокоуровневых графических и текстовых редакторов в процессе проектирования. Параметры конфигурации для аппаратных средств. Последовательность проектных процедур архитектурного этапа.

    контрольная работа, добавлен 11.11.2010

  • Построение логической схемы счетчика в среде Max+Plus II с использованием редактора символов, моделирование ее работы с помощью эмулятора работы логических схем. Триггеры со статическим и динамическим управлением. Анализ алгоритма синтеза счетчиков.

    лабораторная работа, добавлен 23.11.2014

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Основы радиосвязи и структурная схема радиоприемника. Оценка параметров сигнала. Канал приема радиостанции Р-612. Способы реализации аналогового тракта. Приемник прямого преобразования. Прямое преобразование частоты. Алгоритм множественных инверсий.

    дипломная работа, добавлен 26.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.