Исследование полупроводникового терморезистора
Терморезисторы (термисторы) - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, имеющие зависимость электросопротивления от температуры. Исследование зависимости повышения температуры в терморезисторе от повышения токов и напряжений.
Подобные документы
Определение внутреннего сопротивления параметрического стабилизатора напряжений, его измерение на выходе стабилизатора с помощью вольтметра. Данные для расчёта коэффициента стабилизации. Реализация эквивалентной схемы параметрического стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 17.01.2011Определение токов и мощности индуктора, неизвестных токов и напряжений и построение векторных диаграмм параллельного, последовательно-параллельного и параллельно-последовательного автономных инверторов тока. Расчет тиристора, анодного дросселя, ёмкостей.
курсовая работа, добавлен 16.04.2016Исследование и специфика использования инверсного кода и Хемминга. Структурная схема устройства передачи данных, его компоненты и принцип работы. Моделирование датчика температуры, а также кодирующего и декодирующего устройства для инверсного кода.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016Комплексная классификация технологий и общая характеристика типов беспроводных сетей. Оценка факторов и анализ методов повышения производительности в Ad-Hoc сетях. Описание методов повышения производительности Ad-Hoc сетей на основе различных технологий.
дипломная работа, добавлен 28.12.2011Опытная проверка законов Кирхгофа и принципа наложения. Расчет токов в ветвях заданной электрической цепи методами контурных токов, узловых потенциалов, эквивалентного генератора. Построение потенциальной диаграммы. Сравнение результатов опыта и расчета.
контрольная работа, добавлен 09.02.2013Составление расчетной электрической схемы. Расчет токов в исследуемой электрической цепи. Проверка выполнения законов Кирхгоффа. Выбор измерительных приборов и схема включения электроизмерительных приборов. Схемы амперметров выпрямительной системы.
курсовая работа, добавлен 24.01.2016Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009Генерация токов повышенной частоты. Расчет электрического режима инвертора и выпрямителя. Выбор элементов и системы автоматического управления и защиты тиристорного преобразователя частоты. Временные диаграммы токов и напряжений, характеристики инвертора.
курсовая работа, добавлен 13.01.2011Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа, добавлен 15.07.2015- 85. Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета
Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат, добавлен 11.12.2008 Разработка устройства, преобразующего аналоговый сигнал в эквивалентный ему цифровой код. Схема устройства, исследование модели модулей. Интерфейс модулей, архитектура счетчика. Исследование структурной модели устройства с использованием моделей узлов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2010Моделирование вихретокового контроля с помощью системы намагничивающих и измерительной катушек. Исследование зависимости информативного сигнала при разных частотах для различных форм дефектов. Расчет информативных признаков. Построение нейронных сетей.
курсовая работа, добавлен 27.10.2010- 88. Аппроксимация вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка
Графическое и аналитическое решение трансцендентного уравнения. Выполнение аппроксимации вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Определение реакции цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля.
контрольная работа, добавлен 15.08.2012 Исследование принципа действия и устройства коаксиального фильтра СВЧ диапазона. Построение амплитудно-частотной характеристики в заданном диапазоне частот. Проведение снятия зависимости амплитуды напряжения от частоты сигнала при отключенном фильтре.
лабораторная работа, добавлен 28.10.2013Технологии компании Apple iPhone 3, возможности управления дисплеем. Определение схемы расположения субпикселей. Измерение параметров управления яркостью и времени переключения пикселей. Исследование зависимости яркости от уровня серого на дисплее.
курсовая работа, добавлен 22.01.2014Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.
реферат, добавлен 17.03.2011Способы совершенствования помехозащищенных радиотехнических систем (РТС), анализ их основных характеристик и параметров. Методы повышения скрытности РТС, их устойчивости к преднамеренным помехам. Оценка эффективности предлагаемых технических решений.
дипломная работа, добавлен 17.04.2015Практическое исследование зависимости паразитной емкости от длины и диаметра намотки однослойного проволочного резистора методом теории многофакторного эксперимента. Конструктивная проверка статистической значимости коэффициентов по критерию Стьюдента.
лабораторная работа, добавлен 19.10.2010Изучение и экспериментальное исследование влияния вида модуляции на помехоустойчивость системы передачи дискретных сообщений. Рассмотрение методики экспериментального измерения вероятности ошибки при когерентном приёме. Построение графика зависимости.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2014Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Исследование входных цепей при емкостной, индуктивной и смешанной связи с ненастроенной антенной. Анализ зависимости коэффициента передачи входной цепи от типа и величины связи при укороченной и удлиненной антеннах. Определение индуктивности катушки.
лабораторная работа, добавлен 14.01.2013Проектирование и расчет модального регулятора для следящего привода антенны бортовой радиолокационной станции, в которой присутствует явление механической упругости. Расчет стационарного наблюдателя. Анализ методов повышения степени робастости системы.
дипломная работа, добавлен 15.08.2011Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Нелинейные дифференциальные уравнения следящей системы. Построение ее фазового портрета. Определение достаточного условия абсолютной устойчивости и граничного значения коэффициента передачи. Исследование устойчивости состояния равновесия системы.
контрольная работа, добавлен 28.11.2013Ознакомление с достоинствами фильтров с бесконечной импульсной характеристикой. Рассмотрение способов инвариантного преобразования импульсной характеристики. Синтез рекурсивного дискретного фильтра по частотной характеристике аналогового прототипа.
презентация, добавлен 19.08.2013