Квантово-размерные структуры и наноэлектронные приборы
Принципы и условия наблюдения квантово-размерного квантования. Квантово-размерные структуры в приборах микро- и наноэлектроники. Структуры с двумерным и одномерным (квантовые нити) электронным газом. Применение квантово-размерных структур в приборах.
Подобные документы
Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.
реферат, добавлен 21.08.2015Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.
презентация, добавлен 14.12.2013Схема модуляційних кодів. Характеристика найбільш поширених кодів: RZ та NRZI; код Манчестер та Міллер. Швидкість передачі даних і сигналу. Приймачі для волоконно-оптичних систем передавання. Фотодіоди на основі p-n переходу, основні принципи роботи.
контрольная работа, добавлен 21.11.2010Выбор наиболее эффективного метода повышения пропускной способности магистральной системы передач. Расчет параметров квантово-электронного модуля и линейного тракта. Разработка структурной и функциональной схем приемника, передатчика и ретранслятора.
дипломная работа, добавлен 17.04.2011Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.
презентация, добавлен 24.05.2014Расчёт и проверка структуры и параметров дискретного регулятора и дискретного компенсатора. Аналитическое конструирование регулятора с выбором его структуры и параметров. Формирование интегрального квадратического критерия и выбор весовых коэффициентов.
курсовая работа, добавлен 11.02.2012Функции микропроцессоров в измерительных приборах. Цифровые вольтметры постоянного тока с время - импульсным преобразованием. Назначение, принцип действия и устройство цифровых частотомера, спидометра, термометра электронного весового оборудования.
реферат, добавлен 10.06.2014Операции поверки, которые являются обязательными при проверке люксметров и яркомеров в отечественной практике. Приборный парк в области световых измерений. Общие сведения о приборах измерения освещённости. Люксметр цифровой Mastech MS 6610, его описание.
реферат, добавлен 07.01.2016Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.
курсовая работа, добавлен 03.03.2011Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Направления автоматизации измерений. Применение микропроцессоров в измерительных приборах. Измерительно-вычислительный комплекс как автоматизированное средство измерений, имеющее в своем составе микропроцессоры. Номенклатура входящих в ИВК компонентов.
реферат, добавлен 23.01.2009Эскизное проектирование цифровых систем передачи, выбор аппаратуры и трассы магистрали. Оценка параметров дискретизации, квантования и кодирования. Оценка параметров дискретизации, квантования и кодирования. Формирование структуры цикла передачи сигнала.
курсовая работа, добавлен 05.11.2015Теоретические сведения об указателях скорости и высоты полета. Применение аналого-цифровых преобразователей, кремниевых датчиков давления. Микросхемы управления цифро-буквенными индикаторами. Расчет количества проводов, мощности и надежности системы.
дипломная работа, добавлен 12.12.2011Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.
курсовая работа, добавлен 16.04.2012Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем.
курсовая работа, добавлен 15.06.2013Разработка командной радиолинии КИМ-ФМ-ФМ: выбор технических характеристик, расчет частоты дискретизации и разрядности квантования; описание структуры группового сигнала и принципов работы приемника и передатчика. Особенности контура управления.
курсовая работа, добавлен 07.02.2011- 19. Наноэлектроника
История развития нанотехнологии. Наноэлектронные приборы и устройства. Разработка основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых. Проблемы и перспективы развития нанонауки (электроники и оптоэлектроники) в России.
реферат, добавлен 12.11.2016 Базовая структура нестационарных устройств. Обобщенный алгоритм решения задачи синтеза структур нестационарных ARC-схем. Пример синтеза структуры аналоговой части циклического фильтра Калмана-Бьюси. Параметры схемы циклического ФКБ второго порядка.
курсовая работа, добавлен 05.03.2011Характеристика структурной схемы цифрового скремблера. Особенности выбора системы компандирования. Анализ способов определения структуры кодовых групп на выходе кодера c нелинейной шкалой квантования. Знакомство с методами передачи цифрового сигнала.
контрольная работа, добавлен 07.12.2013Авторская разработка модели измерительного нейрона в рамках эквисторной структуры измерительной нейросети, формируемые на ней ассоциативно-проективные измерительные структуры. Повышение метрологических характеристик аналогово-цифрового преобразователя.
дипломная работа, добавлен 25.10.2013Интенсивность отказов в электронно-выпрямительных приборах, резисторах, полупроводниках, конденсаторах и микросхемах при повышении температуры. Значения коэффициента теплопроводности для различных веществ и материалов. Тепловой режим плоской пластины.
лекция, добавлен 27.12.2013- 24. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Методика расчета двухкаскадного трансформаторного усилителя мощности, выполненного на кремниевых транзисторах структуры p-n-p, и его КПД. Особенности составления эквивалентной схемы усилителя для области средних частот с учетом структуры транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.02.2010