Полупроводники и транзисторы
Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.
Подобные документы
Понятие плазмы тлеющего разряда. Определение концентрации и зависимости температуры электронов от давления газа и радиуса разрядной трубки. Баланс образования и рекомбинации зарядов. Сущность зондового метода определения зависимости параметров плазмы.
реферат, добавлен 30.11.2011Принцип действия светодиода и лампы накаливания. Вывод света из полупроводника. Физические основы работы лампы накаливания. Явление инжекции неосновных носителей. Основные преимущества светильника на светоизлучающих диодах перед ламповыми светильниками.
реферат, добавлен 03.07.2015Подбор рекуператора для помещения. Принципиальная схема работы рекуператора. Коэффициенты теплопередачи пластины теплообменника. Зависимость температур приточного воздуха в рекуператоре от наружного. Уменьшение потребления энергии в калорифере.
реферат, добавлен 14.01.2016Проверка эффекта Мпембы. Исследование температуры замерзания воды в зависимости от концентрации соли в ней. Зависимость температуры кипения от ее продолжительности, концентрации соляного раствора, атмосферного давления, высоты столба жидкости в сосуде.
творческая работа, добавлен 24.03.2015Условия включения трансформаторов на параллельную работу. Определение коэффициентов трансформации, разницы между ними относительно среднего геометрического значения. Замер линейного напряжения. Схема параллельного включения двух трансформаторов.
лабораторная работа, добавлен 12.01.2010- 31. Полупроводники
Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.
реферат, добавлен 28.07.2010 - 32. Квантовые точки
Квантовая точка как наноразмерная частица проводника или полупроводника. Сканирующая электронная микрофотография наноструктур различного размера из арсенида галлия. Люминисценция кристаллов селенида кадмия. Перспективы применения наноэлектронного лазера.
презентация, добавлен 24.10.2013 Способность диэлектриков проводить электрический ток, характер движения электронов, переходы. Определения механизма проводимости — наблюдение тока в магнитном поле, определение знака термоэлектродвижущей силы. Проводимость первого и второго порядка.
реферат, добавлен 20.09.2009Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.09.2010Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа, добавлен 12.01.2010Классификация фотоэлектрических эффектов и оптоэлектронных приборов. Изучение оптических свойств полупроводников. Вольт-амперная характеристика вентильного фотоэлемента. Кривая релаксации фототока полупроводника. Оптическое поглощение и фотопроводимость.
реферат, добавлен 15.01.2015Определение и уточнение диаметра вала с целью оценки статической нагрузки на брус. Произведение расчета вала на прочность и жесткость при крутящем ударе и при вынужденных колебаниях. Выбор эффективных коэффициентов концентрации напряжений в сечении.
контрольная работа, добавлен 27.07.2010Зависимость показателя преломления от частоты падающего света. Разложение сложного излучения в спектр. Уравнение движения электронов атомов вещества под действием поля световой волны. Скорости ее распространения. Суммарный дипольный момент атомов.
презентация, добавлен 17.01.2014Принципы симметрии волновых функций. Использование принципа Паули для распределения электронов в атоме. Атомные орбитали и оболочки. Периодическая система элементов Менделеева. Основные формулы физики атомов и молекул. Источники рентгеновского излучения.
реферат, добавлен 21.03.2014Магнитные моменты электронов и атомов. Намагничивание материалов за счет токов, циркулирующих внутри атомов. Общий орбитальный момент атома в магнитном поле. Микроскопические плотности тока в намагниченном веществе. Направление вектора магнитной индукции.
презентация, добавлен 07.03.2016Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи.
курсовая работа, добавлен 24.11.2010Определение сопротивления ограничивающего резистора. Расчет максимального тока через стабилитрон. Вычисление мощности, выделяемой на резисторе. Определение изменения напряжения стабилитрона в заданном диапазоне температур. Схема включения стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 19.06.2015С ростом температуры кристалла за счет теплового расширения постоянная решетки увеличивается. Поэтому при повышении температуры у полупроводников, как правило, запрещенная зона уменьшается.
реферат, добавлен 22.04.2006Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников. Расчет концентрации ионизованной примеси. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости. Электронно-дырочные переходы. Полупроводниковые выпрямители. Суть сверхпроводимости.
презентация, добавлен 09.04.2015Расчёт принципиальной схемы ТЭС. Распределение регенеративного подогрева по ступеням. Выбор основного и вспомогательного оборудования. Схема включения, конструкция и принцип действия. Определение основных геометрических характеристик, тепловой схемы.
курсовая работа, добавлен 02.10.2008Схема цепи с активным, индуктивным и емкостным сопротивлениями, включенными последовательно. Расчет значений тока и падения напряжения. Понятие резонанса напряжений. Снятие показаний осциллографа. Зависимость сопротивления от частоты входного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 10.07.2013Вольтамперная характеристика р-n перехода - границы двух слоев полупроводника с разным типом проводимости. Процессы, происходящие при его прямом и обратном смещении. Пояснение временных диаграмм мультивибратора и сути гибридного силового модуля.
контрольная работа, добавлен 21.12.2011Определение зависимости сопротивления сети от скорости потока, расчет сопротивления для определенного значения. Принцип работы и внутреннее устройство насосной установки, определение расхода воды в зависимости от перепада давления на дифманометре.
курсовая работа, добавлен 21.02.2009Понятие и классификация полевых транзисторов, их разновидности и функциональные особенности. Входные и выходные характеристики данных устройств, принцип их действия, внутренняя структура и элементы. Физическое обоснование работы и сферы применения.
презентация, добавлен 29.03.2015Расчет электронов в лавине, развивающейся в воздухе при различных атмосферных условиях. Понятие короны как вида разряда. Построение кривых относительного распределения напряжений трансформатора. Годовое число грозовых отключений по территории Молдовы.
контрольная работа, добавлен 14.06.2010