Процессы микро- и нанотехнологии
Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
Подобные документы
Особенности двухзонной системы регулирования скорости и ЭДС, управляющей возбуждением двигателя. Расчет СУЭП, проектирование функциональной и принципиальной схем привода. Выбор силовых полупроводниковых приборов, коммутационной и защитной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 18.06.2015Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа, добавлен 09.09.2012Атомный и молекулярный спектральный анализ. Оптическая спектроскопия. Лазерное сканирование полупроводниковых пластин с последующим спектральным анализом люминесцентного излучения. Спектральные приборы и их принципиальная схема. Дифракционная решётка.
реферат, добавлен 15.01.2009Общая характеристика, химические и физические свойства, ГОСТы алюминия и его сырья. Конструкция электролизера для получения алюминия с самообжигающимся анодом на силу тока 74000А, особенности его обслуживания, возможные неполадки и способы их устранения.
дипломная работа, добавлен 24.07.2010Анализ автоматизированного электропривода. Основные требования, предъявляемые к тахогенераторам. Виды трансформаторов: испытательные, сварочные, автоматические. Особенности электропривода "Трехфазный нулевой выпрямитель". Построение схемы регулятора тока.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Технические данные, конструкция и характеристики основных узлов вакуумного выключателя ВТБЭ-10. Устройство и работа составных частей, техническое обслуживание и ремонт, особенности эксплуатации. Экономическое обоснование выбора вакуумного выключателя.
курсовая работа, добавлен 15.03.2015Изучение микроструктуры гексаферритов стронция, морфологии зерен, характера распределения микродобавок, особенностей их химического и электронного состояния на поверхности кристаллитов спектральными и структурными методами анализа строения веществ.
контрольная работа, добавлен 13.06.2010Тонкопленочные слои; назначение тонких пленок, методы их нанесения. Устройство вакуумного оборудования для получения тонких пленок. Основные стадии осаждения пленок и механизмы их роста. Контроль параметров технологических процессов и осажденных слоев.
курсовая работа, добавлен 11.09.2014Понятие нанообъекта, наноматериала и нанотехнологии. Физические причины специфики наночастиц и наноматериалов. Синтез углеродных наноматериалов. Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа. Использование нанотехнологических зондовых машин.
реферат, добавлен 20.01.2012История развития нанотехнологии. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ). Наночастицы. Перспективы и проблемы. Финансирование. Медицина и биология. Промышленность и сельское хозяйство. Экология. Освоение космоса. Информационные и военные технологии.
реферат, добавлен 16.03.2008Назначение, конструкция и принцип действия вакуумного выключателя ВВТЭ-10-10/630У2. Свойства и характеристики электротехнических материалов применяемых для изготовления аппарата. Преимущества вакуумных выключателей. Получение, марки и сплавы меди.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012Теоретические основы сканирующей зондовой микроскопии. Схемы сканирующих туннельных микроскопов. Атомно-силовая и ближнепольная оптическая микроскопия. Исследования поверхности кремния с использованием сканирующего зондового микроскопа NanoEducator.
дипломная работа, добавлен 16.08.2014Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
дипломная работа, добавлен 29.12.2014Расчет энергии иона. Количественная интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов. Метод спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Форма энергетических спектров двухкомпонентных материалов. Спектр кремния с анатомами на поверхности.
контрольная работа, добавлен 14.11.2011Осветительные приборы: прошлое, настоящее и будущее. Тепловые и газоразрядные источники света. Преимущества и недостатки люминесцентных ламп. Генерации света при прохождении электрического тока через границу полупроводниковых и проводящих материалов.
реферат, добавлен 09.04.2013Рассмотрение специфики оптической накачки активной среды лазера. Описание квантовых приборов с оптической накачкой, работающих по трёхуровневой и четырёхуровневой схеме. Параметрическая генерация света. Принцип действия полупроводниковых лазеров.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015Краткий обзор наиболее распространенных видов приборов учета и различных способов автоматизированного контроля и учета электроэнергии. Состав и содержание основных стадий проектирования системы автоматизированной системы контроля и учета электроэнергии.
отчет по практике, добавлен 24.06.2015Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.
курсовая работа, добавлен 27.02.2011Расчет и выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Выбор цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Расчет генератора высокочастотных импульсов. Внешняя характеристика выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 30.04.2012Структура и специфика использования приборов тлеющего разряда. Понятие, а также функциональные возможности стабилитронов. Вентили тлеющего разряда. Конструкции тиратронов. Особенности использования несамостоятельных разрядов в технологических лазерах.
контрольная работа, добавлен 11.08.2014Коэффициент термического расширения, формулы. Фазовые переходы первого и второго рода в термодинамике. Плавление и кристаллизация, испарение и конденсация, сублимация и десублимация. График зависимости изменения объема воды от температуры и времени.
лабораторная работа, добавлен 22.09.2013Особенности устройства теплоэлектростанции как конденсационной электростанции, автоматизация ее технологических процессов. Перечень средств автоматизации объекта. Алгоритм управления системой впрыска пара. Технические требования к монтажу приборов.
курсовая работа, добавлен 18.02.2015- 48. Диод
Понятие диодов как электровакуумных (полупроводниковых) приборов. Устройство диода, его основные свойства. Критерии классификации диодов и их характеристика. Соблюдение правильной полярности при подключении диода в электрическую цепь. Маркировка диодов.
презентация, добавлен 05.10.2015 Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
дипломная работа, добавлен 08.06.2017Физический аспект образования сил тяги и торможения поезда. Форма и величина опорной поверхности, в которой колесо опирается на рельс. Ориентация опорной поверхности в форме эллипса, ее размеры. Классификация сил сопротивления движению, его составляющие.
презентация, добавлен 14.08.2013