Воздействие радиационного излучения на операционные усилители
Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.
Подобные документы
Методы достижения кратковременного состояния невесомости. Единицы измерения поглощенной дозы радиоактивного излучения, его источники. Радиационная стойкость конденсаторов. Устройство гетерогенного ядерного реактора. Защитные устройства от гамма-излучения.
реферат, добавлен 25.01.2009Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015Эффекты разогрева электронного газа. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Транзисторы с инжекцией горячих электронов и на горячих электронах. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников.
курсовая работа, добавлен 30.10.2014Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2010Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.
реферат, добавлен 05.12.2012Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.
контрольная работа, добавлен 21.02.2016Операционные усилители - идеальные усилители напряжения. Они применяются в аналоговой схемотехнике с отрицательной обратной связью. Операционный усилитель состоит из дифференциального входного каскада, промежуточного каскада усиления и оконечного каскада.
лекция, добавлен 26.01.2009Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.
реферат, добавлен 21.08.2015Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа, добавлен 08.11.2013- 10. Резисторы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа, добавлен 13.01.2009 Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Метод преобразования солнечной энергии в электрическую. Устройство и принцип действия фотоэлементов. Внутренний фотоэлектрический эффект в полупроводниках. Радиационные, световые и тепловые воздействия. Условия работы фотоэлектрических преобразователей.
реферат, добавлен 01.05.2011Особенности построения генераторов на основе цифровых интегральных схем. Использование усилительных свойств логических инверторов для обеспечения устойчивых колебаний. Расчет активных и пассивных элементов схемы мультивибратора на логических элементах.
курсовая работа, добавлен 13.06.2013Операционные усилители общего применения. Прецизионные и программируемые операционные усилители. Разработка и расчет входного усилителя, компаратора с положительной обратной связью, фоточувствительного выпрямителя, фильтра частот, погрешностей устройства.
курсовая работа, добавлен 22.08.2013Климатические воздействия при эксплуатации РЭСИ подразделяют на естественные и искусственные. Микроэлементы и интегральные микросхемы, находящиеся в зоне воздействия радиоактивных излучений, могут существенно изменять свои параметры и выходить из строя.
реферат, добавлен 14.01.2009Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.
реферат, добавлен 12.06.2009Биполярные и полевые транзисторы в дискретном или интегральном исполнении как основа современных усилителей. Классы усиления усилительных каскадов. Метод расчета схем с нелинейным элементом. Схема с фиксированным напряжением базы. Методы стабилизации.
лекция, добавлен 15.03.2009Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Идентификационные метки: штриховое кодирование, радиочастотные идентификационные и пассивные радиочастотные метки. Выбор материала для подложки и металлизации поверхности. Оценка эффективности инновационного процесса. Возможные радиационные потери.
дипломная работа, добавлен 12.11.2010Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа, добавлен 08.03.2010Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.
реферат, добавлен 23.06.2010Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.
презентация, добавлен 24.04.2016Необходимое условие применения СВЧ-методов. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля. Три группы методов радиоволновой дефектоскопии: на прохождение, отражение и на рассеяние. Аппаратура радиоволнового метода.
реферат, добавлен 03.02.2009Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Расчет некорректированного каскада с общим эмиттером. Расчет каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией. Расчет каскада с эмиттерной коррекцией. Коррекция искажений вносимых входной цепью. Согласованные каскады с обратными связями.
учебное пособие, добавлен 19.11.2003