Дослідження електричного струму в напівпровідниках
Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
Подобные документы
Структура і принципи роботи тиристора, його вольт-амперна характеристика. Функціонування симістора, способи його відмикання. Конструкція і принципи дії трансформаторів. Розробка структурної схеми регулятора змінної напруги та розрахунок його елементів.
дипломная работа, добавлен 14.11.2010Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.06.2011Оптичні властивості тонких плівок нітриду титану. Електрофізичні та сорбційні характеристики прополісу. Дослідження закономірностей розсіювання тонкими плівками TiN і прополісу світлових потоків при різних формах поляризації падаючого випромінювання.
магистерская работа, добавлен 29.09.2015Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа, добавлен 08.06.2014Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.
курсовая работа, добавлен 09.04.2010Призначення стенда та мета дослідження. Структура та вимоги до фізичних моделей технологічних керованих об’єктів. Візуалізація процесу керування та дослідження. Загальні вимоги щодо компоновки обладнання даного лабораторного стенда, його робота.
контрольная работа, добавлен 20.06.2015Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.
курсовая работа, добавлен 05.01.2014Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
лекция, добавлен 19.11.2008Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация, добавлен 12.12.2013Коммутаторы локальных сетей: назначение, принцип работы, способы коммутации, характеристики производительности, скорость фильтрации и продвижения кадров. Классификация маршрутизаторов, основные функции, технические характеристики, сетевой уровень.
курсовая работа, добавлен 21.07.2012Структура и информационные характеристики дискретного канала. Расчет энтропии приемника, потери информации при преобразовании цифровых данных в электрический сигнал. Применение единого ключа в симметрических криптосистемах при шифровании и дешифровании.
курсовая работа, добавлен 02.07.2015Диод как электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Его вольт-амперная характеристика. Основные типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, переключающие, стабилитроны, сарикапы и диоды Шотки.
реферат, добавлен 22.02.2015Обчислення та обґрунтування технічних характеристик відповідної синтезуємої системи радіолокаційної станції. Призначення, склад і основні характеристики передавальної системи. Структура зондувального сигналу. Основні технічні характеристики передавача.
курсовая работа, добавлен 24.05.2014Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа, добавлен 13.03.2013Формування STM-4 з потоків 2 Мбіт. Інформаційні структури, які використовуються при формуванні STM-1 з триба Е1. Зміна швидкість передавання цифрового потоку при переході від однієї інформаційної структури до іншої. Відмінність ЦСП-SDH від ЦСП-PDH.
лабораторная работа, добавлен 06.11.2016- 91. Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом
Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа, добавлен 08.08.2007 Дослідження залежності часу кругового обертання пакету RTT від відстані, використовуючи команду ping. Аналіз результатів дослідження. Залежність імовірності втрати пакетів від часу їх життя. Інтенсивність відправки, кількість і відсоток втрачених пакетів.
лабораторная работа, добавлен 05.02.2015Формування і передача по цифровій лінії зв’язку інформаційних сигналів. Використання радіолокаційних станцій. Середньоквадратична похибка стабілізації положення антенного блоку. Випромінювання магнітного та електричного поля. Параметри системи сканування.
курсовая работа, добавлен 12.06.2011Микроконтроллеры - микросхемы, предназначенные для управления электронными устройствами, их классификация. Структура процессорного ядра микроконтроллеров, основные характеристики, определяющие его производительность. CISC и RISC архитектура процессора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2010Классификация и структура микроконтроллеров. Структура процессорного ядра микроконтроллера, основные характеристики его производительности. Архитектура процессорного модуля, размер и тип встроенной памяти, набор периферийных устройств, тип корпуса.
курсовая работа, добавлен 28.08.2010Класифікація підсилювачів та їх головні характеристики. Вимірювання вхідного і вихідного опорів. Стандарти звуковідтворюючої апаратури. Моделювання схеми підсилювача звуку. Схема принципова електрична. Експериментальне дослідження характеристик макету.
дипломная работа, добавлен 22.02.2013- 97. Датчики
Датчик як найважливіший елемент системи автоматичного регулювання, його призначення та основні сфери використання. Різновиди датчиків та їх відмінні властивості, вимоги. Передаточна функція термометра. Визначення початкового електричного опору датчика.
контрольная работа, добавлен 22.02.2011 Общая характеристика ОАО "Уралсвязьинформ", задачи и структура предприятия. Особенности оборудования Tainet MUXpro 711, назначение системы, технические показатели, взаимодействие блоков. Типы кабелей, их характеристики. Виды связи и схема организации.
отчет по практике, добавлен 15.03.2011Визначення класичним, оперативним і спектральним методами реакції лінійного електричного кола на підключення джерела живлення. Використання цих методів при проектуванні нових телекомунікаційних пристроїв. Моделювання перехідного процесу за допомогою ЕОМ.
контрольная работа, добавлен 23.02.2012Призначення термінальних мультиплексорів SDH. Відмінності мультиплексорів SMA від SMT. Види трибних інтерфейсів SM. Характеристика оптичного (робоча довжина хвилі) та електричного (швидкість передачі та код сигналу) інтерфейсів SM, інтерфейсу HDSL.
лабораторная работа, добавлен 06.11.2016