Радиационные эффекты в диэлектриках
Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
Подобные документы
Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 09.06.2015Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах. Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста. Закономерности, структура и химическая связь соединений типа АIIIВV. Изопериодные гетероструктуры. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.
курсовая работа, добавлен 09.12.2010Характеристики полупроводниковых двумерных структур. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины. Параболическая и треугольная квантовые ямы. Квантовые проволоки и точки. Влияние напряжений на валентную зону. Экситонные эффекты в квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Особенности двухзонной системы регулирования скорости и ЭДС, управляющей возбуждением двигателя. Расчет СУЭП, проектирование функциональной и принципиальной схем привода. Выбор силовых полупроводниковых приборов, коммутационной и защитной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 18.06.2015Рассмотрение специфики оптической накачки активной среды лазера. Описание квантовых приборов с оптической накачкой, работающих по трёхуровневой и четырёхуровневой схеме. Параметрическая генерация света. Принцип действия полупроводниковых лазеров.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015Анализ автоматизированного электропривода. Основные требования, предъявляемые к тахогенераторам. Виды трансформаторов: испытательные, сварочные, автоматические. Особенности электропривода "Трехфазный нулевой выпрямитель". Построение схемы регулятора тока.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Природа и источники ионизирующего излучения, его физические свойства, воздействие на окружающую среду и гигиеническое нормирование. Наведенная радиоактивность, радиоактивный распад. Методы измерения ионизирующих излучений и измерительная техника.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.
курсовая работа, добавлен 27.02.2011Физические основы дозиметрии ионизирующих излучений. Основные понятия и величины клинической дозиметрии. Формирование дозного поля в зависимости от вида и источника излучения. Профессиональные обязанности лучевого терапевта. Понятие поглощенной энергии.
презентация, добавлен 06.05.2013Расчет и выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Выбор цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Расчет генератора высокочастотных импульсов. Внешняя характеристика выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 30.04.2012Исследование особенностей полупроводниковых материалов, которые содержат бистабильные амфотерные центры. Характеристика этапов построения тройной диаграммы состояния Zn-Ge-As, вызванного образованием в ней тройного полупроводникового соединения ZnGeAs2.
реферат, добавлен 25.06.2010Понятие и свойства радиоактивных излучений, их ионизирующая и проникающая способности. Особенности взаимодействия излучений с живым организмом. Важность экологических проблем, связанных с защитой природы и человека от действия ионизирующих излучений.
методичка, добавлен 30.04.2014Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Физические свойства висмута и его полиморфных модификаций. Исследование влияния мощных пучков заряженных частиц на микроструктуры и свойства мишеней. Преимущества применения методов рентгеноструктурного фазового анализа для расчета дифракционных картин.
курсовая работа, добавлен 13.08.2013Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат, добавлен 11.06.2011Разработка системы стабилизации скорости электропривода на основе двигателя постоянного тока. Расчёт силового согласующего трансформатора, полупроводниковых приборов, фильтров, регуляторов скорости и тока. Рассмотрена методика наладки электрооборудования.
курсовая работа, добавлен 27.02.2012Классификация, структурные свойства и возможные отрасли применения нанотрубок. Особенности электрического сопротивления. Возможность создания устройства с высоконелинейными характеристиками включения на основе полупроводниковых одностенных нанотрубок.
реферат, добавлен 21.11.2010Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.01.2015- 44. Сканирующий туннельный микроскоп. Изобретение Г.К. Биннига и Г. Рорера. Атомно-силовой микроскоп
Управление свойствами полупроводниковых материалов, основанное на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров. Обработка экспериментальных данных и спектральные характеристики вентильной фотоэдс, структур, содержащих нанокластеры.
презентация, добавлен 06.12.2015 Взаимодействие электронов с электрическим полем как основной процесс в электровакуумных и полупроводниковых приборах, его общая характеристика и значение, факторы влияния. Устройство и принцип действия лампы обратной волны типа "О" как генератор.
контрольная работа, добавлен 07.12.2014- 46. Действие света
Теоретические основы оптико-электронных приборов. Химическое действие света. Фотоэлектрический, магнитооптический, электрооптический эффекты света и их применение. Эффект Комптона. Эффект Рамана. Давление света. Химические действия света и его природа.
реферат, добавлен 02.11.2008 Свойства материалов: механические, физические, химические. Виды деформаций: растяжение, сжатие, сдвиг, кручение и изгиб. Расчет плотности, теплопроводности и теплоемкости материалов. Огнестойкость материалов: несгораемые, трудносгораемые, сгораемые.
презентация, добавлен 10.10.2015Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Понятие и главные свойства оптронов как особенных оптоэлектронных приборов, их классификация и разновидности, отличительные признаки. Преимущества и недостатки использования данных приборов, требования к среде и сферы их практического применения.
презентация, добавлен 02.12.2014Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.
курсовая работа, добавлен 29.04.2014