Полупроводниковые квантовые наноструктуры и сверхрешетки
Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.
Подобные документы
Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.
реферат, добавлен 17.03.2011Сравнительный анализ между классическими и квантовыми нейронами. Построение квантовой нейронной сети. Однослойный и многослойный персептроны. Алгоритм обратного распространения "Back Propagation". Робототехника как направление искусственного интеллекта.
магистерская работа, добавлен 26.12.2012Cпособы точного решения уравнения Шредингера. Любое твердое тело представляет собой систему, состоящую из огромного числа ядер и ещё большего числа электронов. Обобществление электронов в кристалле. Электронные облака внутренних оболочек атома.
реферат, добавлен 10.12.2008Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Формирование интенсивных осесимметричных электронных пучков. Электронная пушка. Пушка Пирса для формирования цилиндрического пучка. Расчет излучателя электронов. Конструкция, конфигурация прикатодного фокусирующего электрода и анода. Величина компрессии.
реферат, добавлен 26.01.2009Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат, добавлен 14.11.2008Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация, добавлен 12.12.2013Диод как электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Его вольт-амперная характеристика. Основные типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, переключающие, стабилитроны, сарикапы и диоды Шотки.
реферат, добавлен 22.02.2015Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Выпрямительные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. Туннельные и обращенные диоды. Варикапы. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами.
лекция, добавлен 19.11.2008Определение последовательности измерений, испытаний. Анализ возможности автоматизированной сборки печатного узла. Схема измерения в области микротоков. Описание конструкции и работы оптического канала. Расчет расстояния между элементами печатного рисунка.
дипломная работа, добавлен 18.04.2014Физико-химические основы гомогенного и гетерогенного зарождения и роста новой фазы, химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика поверхностных процессов. Электрофизические характеристики соприкасающихся поверхностей и границ раздела слоев.
курсовая работа, добавлен 30.01.2011Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Создание и проекционный перенос изображения с помощью пучка электронов. Характеристики рассеяния электронов в слое электронорезиста. Рентгеношаблон. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Источник рентгеновского излучения.
реферат, добавлен 14.01.2009Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.
курсовая работа, добавлен 09.11.2010Структура сети в двух зонах шестизначной нумерации ОАКТС. Связи между зонами и обходные пути, организованные с помощью двух УАК. Нумерация абонентов и коды местных сетей. Схема распределения интенсивности нагрузки. Расчет станционного оборудования.
курсовая работа, добавлен 26.11.2013В модели Кронига-Пенни рассматривается движение электронов в линейной цепочке прямоугольных потенциальных ям. Зависимость энергии электрона от волнового вектора. Зоны Бриллюэна. О структуре энергетических зон. Случаи зонной структуры твёрдых тел.
реферат, добавлен 11.12.2008Понятие и методы исследования квантово-размерных структур, их типы и получение. Классификация гетероструктур. Методы изготовления квантовых нитей, их плотность и предъявляемые требования. Порядок создания приборов на системах с размерным квантованием.
дипломная работа, добавлен 02.02.2015Проектирование среднескоростного тракта передачи данных между двумя источниками и получателями. Сборка схемы с применением пакета "System View" для моделирования телекоммуникационных систем, кодирующего и декодирующего устройства циклического кода.
курсовая работа, добавлен 04.03.2011Электронные ресурсы в российских библиотеках. Понятие и функции электронного ресурса, роль в структуре библиотечного фонда. Научная библиотека им. М.М. Бахтина МГУ им Н.П. Огарева как генератор информационных электронных ресурсов, ее этапы формирования.
курсовая работа, добавлен 05.01.2017Геолого-климатический анализ местности. Разработка волоконно-оптической линии связи между двумя городами – Новосибирском и Кемерово. Сметы на строительство линейных сооружений. Схема размещения регенерационных пунктов по трассе оптического кабеля.
курсовая работа, добавлен 15.11.2013Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.
реферат, добавлен 23.06.2010Составление m-файла, позволяющего вычислять модули и фазы коэффициентов отражения от границы раздела при произвольных параметрах границы сред. Общая характеристика полного внутреннего отражения. Особенности зависимостей при отражении от частоты сигнала.
контрольная работа, добавлен 24.01.2011Общие сведения о микропроцессорных системах. Архитектура микроконтроллера Attiny 45-20. Принцип работы осциллографа - измерительного прибора для наблюдения зависимости между двумя или несколькими быстро меняющимися величинами, его электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 18.05.2014Определение и расчет интенсивности телефонной нагрузки. Построение зависимости величины потерь от интенсивности поступающей нагрузки, функции распределения промежутков времени между двумя последовательными моментами поступления вызовов.
контрольная работа, добавлен 10.04.2011Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.
курсовая работа, добавлен 31.03.2015