Вольтамперные характеристики кремниевого диода при 300 К
Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
Подобные документы
- 76. Аппроксимация вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка
Графическое и аналитическое решение трансцендентного уравнения. Выполнение аппроксимации вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Определение реакции цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля.
контрольная работа, добавлен 15.08.2012 Разработка блок-схемы рабочей станции для сбора и обработки данных, кодирования и декодирования сигналов. Основные элементы системы. Проектирование и технология изготовления печатной платы, монтаж, контроль изготовления. Среда программирования LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 11.02.2017Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа, добавлен 01.02.2012Понятие и структура, основные элементы и принцип действия широкополосных усилителей, особенности их практического использования. Методы исследования, расчета и проектирования широкополосных усилителей гармонических сигналов и импульсных сигналов.
курсовая работа, добавлен 14.04.2011Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа, добавлен 25.01.2013Микроканальная пластина: производство, принцип действия, применение, особенности конструкции, базовый технологический способ изготовления. Совместимость стекол по вязкости, температура вытяжки. Качество изображения и частотно-контрастные характеристики.
дипломная работа, добавлен 09.07.2015Изучение принципов работы жидкокристаллических дисплеев, плазменных панелей. Исследование характеристик полупроводниковых приборов и электронных устройств: полевых транзисторов, диодов, усилительных каскадов. Двоичные системы счисления в электронике.
курсовая работа, добавлен 24.10.2015Математические модели радиоэлектронных элементов. Частотные характеристики испытуемых резисторов номиналом. Анализ технической прогрессивности новой конструкции РЭА. Расчет площади и габаритов платы, теплового режима ИКУ. Частотные параметры диода.
дипломная работа, добавлен 07.03.2009Принцип действия оптических рефлектометров – принцип локатора. Рефлектометр регистрирует отраженный (рассеянный назад) сигнал в координатах: принимаемая мощность – время (расстояние) и измеряет его параметры. Структурные схемы оптических рефлектометров.
реферат, добавлен 23.01.2009Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа, добавлен 14.03.2014Системы счисления в цифровых устройствах. Теоремы, логические константы и переменные операции булевой алгебры. Назначение, параметры и классификация полупроводниковых запоминающих устройств, их структурная схема. Процесс аналого-цифрового преобразования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2012Выбор и обоснование схемы рельсовой цепи, принцип действия и назначение её аппаратуры. Разработка двухниточного плана железнодорожной станции и определение режимов работы автоматического перехода перегонной рельсовой цепи. Надежность путевой автоматики.
курсовая работа, добавлен 13.10.2014Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015Плазменная технология и принцип ее действия. Циклы плазменной стерилизации. Результаты микробиологических исследований. Конструкция плазменных стерилизаторов. Сетевые системы и программное обеспечение. Характеристики цикла плазменной стерилизации.
реферат, добавлен 20.07.2010Условия и причины образования канала утечки информации по цепям электропитания, активные и пассивные методы защиты: сетевые фильтры и параметры; применение разделительных трансформаторов; разновидности систем заземления, принцип защитного действия.
курсовая работа, добавлен 05.01.2011- 94. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция, добавлен 24.01.2014Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа, добавлен 11.11.2010Физические основы и принцип действия широкополосных фильтров. Пример расчета фильтра нижних частот (ФНЧ) на заданные параметры. Полная принципиальная схема ФНЧ. Расчет промежуточного и оконечного полузвена. Построение полной характеристики затухания ФНЧ.
курсовая работа, добавлен 21.01.2011Назначение и основные характеристики генераторов (частота и скважность вырабатываемых импульсов). Схема и принцип действия одно- и двухрелейного генератора, изучение временных диаграмм. Принцип кварцевой стабилизации частоты. Исследование RC-генератора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2016Форма поля в магнитных линзах. Магнитная отклоняющая система. Недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Технология изготовления колбы и экрана, его люминофорное покрытие. Заключительные операции изготовления электронно-лучевых трубок.
курсовая работа, добавлен 20.05.2014