Полупроводниковые материалы
Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
Подобные документы
Интернет как источник информации по различным областям знаний, особенности размещения в нем собственных материалов. Сущность основных понятий World Wide Web (Всемирной информационной сети). Методика и особенности создания страниц WWW и Web-документов.
контрольная работа, добавлен 12.09.2010Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа, добавлен 31.10.2009Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013Понятие и общая характеристика приборов - излучателей или приемников электромагнитных волн. Описание детекторных радиоприемников, принципы работы диода и триода. Устройство транзистора, свойства полупроводников, особенности возникновения p-n перехода.
реферат, добавлен 17.03.2011Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.
реферат, добавлен 20.09.2010Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2013Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Терморезисторы (термисторы) - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, имеющие зависимость электросопротивления от температуры. Исследование зависимости повышения температуры в терморезисторе от повышения токов и напряжений.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
контрольная работа, добавлен 15.11.2012Построение и обоснование компьютерной модели поведения обедненной области пространственного заряда МДП-транзистора в зависимости от напряжения, приложенного к стоку. Изучение классификации и принципа действия полевых транзисторов с индуцированным каналом.
курсовая работа, добавлен 08.06.2011Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа, добавлен 01.02.2012Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.
реферат, добавлен 23.06.2010Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа, добавлен 24.06.2015Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2016Устройство, классификация и принцип работы цифровых видеокамер. ПЗС- и КМОП-матрицы; задачи специализированной микросхемы: генерация и формирование тактовых импульсов необходимого размаха и формы; характеристика носителей, их преимущества и недостатки.
презентация, добавлен 10.08.2013Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа, добавлен 13.03.2013Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.
курс лекций, добавлен 13.12.2009Рассмотрение особенностей солнечных элементов и выбор типа солнечной панели. Анализ типовых схемотехнических и конструкторских решений контроллеров заряда аккумуляторной батареи. Разработка структурной и электрической схемы, конструкции устройства.
дипломная работа, добавлен 10.10.2015Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Температура — важнейший параметр всех технологических процессов. Основные группы методов измерения, различаемые в зависимости от диапазона измеряемых температур. Манометрические термометры, их виды. Конструкции и материалы для изготовления термопар.
презентация, добавлен 14.10.2013Актуальность проблемы электромагнитной совместимости (ЭМС) радиоэлектронных систем. Основные виды электромагнитных помех. Материалы, обеспечивающие токопроводящий монтаж. Применение радиопоглощающих материалов. Методы и оборудование для проверки ЭМС.
дипломная работа, добавлен 08.02.2017Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013