Радиационная стойкость электронных средств
Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.
Подобные документы
Использование для усиления узкополосных сигналов так называемых резонансных усилителей (ламповых и транзисторных). Разработка принципиальной электрической схемы усилителя сигнала с амплитудной модуляцией. Расчет характеристики, графика выходного сигнала.
курсовая работа, добавлен 17.12.2009Эквивалентная схема замещения для работы на средних частотах при малом и большом сигнале. Влияние номиналов элементов на параметры схемы, составление ее полного и сокращённого унисторного графа. Коэффициент усиления по напряжению и входной проводимости.
курсовая работа, добавлен 17.03.2011Эффекты разогрева электронного газа. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Транзисторы с инжекцией горячих электронов и на горячих электронах. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников.
курсовая работа, добавлен 30.10.2014Характеристика основных задач электронных схем. Характеристика схемы усилительного каскада, назначение топологии электрических схем и усилительного каскада с общим эмиттером Особенности составления матрицы узловых проводимостей. Применение ППП "MicroCap".
контрольная работа, добавлен 27.04.2012Интегральные микросхемы: сведения, классификация, условно-графическое обозначение, маркировка. Условные обозначения микросхем, основные электрические параметры, базовые логические элементы. Регистры, счетчики, дешифраторы, триггеры, аппараты защиты.
лекция, добавлен 20.01.2010Анализ и назначение сверхбольших интегральных схем программируемой логики. Сущность, особенности, структура и классификация микропроцессоров. Общая характеристика и задачи системы автоматизированного проектирования матричных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 31.05.2010Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.
реферат, добавлен 28.12.2013Устройство и принцип действия пролетного усилительного клистрона. Зависимость выходной мощности от мощности, поступающей на вход усилителя. Амплитудно-частотная характеристика двухрезонаторного клистрона. Особенности конструкций пролетных клистронов.
курсовая работа, добавлен 20.08.2015Приборы, служащие для измерения ускорений - акселерометры. Выбор пьезоэлектрического материала. Форма инерционной массы, ее влияние на характеристики датчика. Описание конструкции акселерометра. Выбор электрической схемы. Выходное напряжение усилителя.
курсовая работа, добавлен 15.05.2014Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Микроэлектроника - самостоятельное научно-техническое, технологическое направление, исторические этапы. Цифровые интегральные микросхемы: логические основы, кодирование сигналов, классификация; разработка, производство, перспективы развития и применения.
учебное пособие, добавлен 11.11.2010- 113. Цифровой термометр
Состав и технические характеристики цифрового термометра, его преимущества перед другими. Особенности функционирования термометра, функциональная и принципиальная схемы. Полупроводниковые терморезисторы и интегрирующий аналого-цифровой преобразователь.
курсовая работа, добавлен 07.01.2011 Теоретические основы работы светоизлучающих диодов, области их применения, устройство и требования к приборам. Полупроводниковые материалы, используемые в производстве светоизлучающих диодов: арсенид и фосфид галлия. Основные параметры светодиода.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Составление и расчет структурной схемы линейного тракта приемника и выбор средств обеспечения его усиления. Допустимый коэффициент шума, расчет ширины спектра принимаемого сигнала и усилителя радиочастоты. Амплитудный ограничитель и частотный детектор.
курсовая работа, добавлен 10.02.2011Конструкционные особенности типовых элементов схемы. Требования к печатной плате. Требования к формовке выводов, лужению, пайке. Расчет электрических и конструктивных параметров элементов печатной платы. Расчет шин питания. Уточненный расчет надежности.
курсовая работа, добавлен 23.10.2012Солнечная батарея как объект моделирования. Общие принципы построения и отладки математической модели солнечных батарей. Кристаллические полупроводниковые материалы. Рекомендации по построению фотоэлектрических систем космического и наземного назначения.
автореферат, добавлен 20.05.2012Расчет схемы резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером. Расчет схемы усилителя: определение сопротивления резистора защиты, амплитудная характеристика, входное и выходное сопротивление.
практическая работа, добавлен 19.03.2012Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация, добавлен 14.11.2014Предварительный расчет и составление структурной схемы приемника. Выбор и обоснование селективных систем и расчет требуемой добротности контуров радиочастотного тракта. Схема и расчет входной цепи. Выбор средств обеспечения усиления линейного тракта.
курсовая работа, добавлен 10.04.2011Расчёт структурной схемы. Выбор транзисторов оконечного и предоконечного каскада. Семейство ВАХ IRF532, 9530. Электрический расчёт предоконечного каскада. Резисторы в цепи драйвера. Цепь ОС, ёмкости. Компьютерное моделирование работы УМЗЧ в CCM MC9.
курсовая работа, добавлен 15.08.2012Разработка цифрового устройства шумовой автоматической регулировки усиления для аналогово-цифровых приёмников РЛС. Расчет экономической эффективности проектируемого изделия. Использование программно-аппаратных средств. Оценка рынка, конкурентоспособности.
бизнес-план, добавлен 13.06.2012Понятие, задачи и проблемы автоматизации проектирования сложных электронных систем. Структура комплекса аппаратно-программных средств САПР. Описание микросхемного, регистрового, вентильного и кремниевого уровней представления мультипроцессорных систем.
реферат, добавлен 11.11.2010Применение мощных полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы) в выходных каскадах усилителей мощности. Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах в программе Multisim 8. Линейные и фазовые искажения, коэффициент гармоник.
дипломная работа, добавлен 30.04.2010Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.
лабораторная работа, добавлен 13.12.2015