Сканирующий туннельный микроскоп. Изобретение Г.К. Биннига и Г. Рорера. Атомно-силовой микроскоп
Управление свойствами полупроводниковых материалов, основанное на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров. Обработка экспериментальных данных и спектральные характеристики вентильной фотоэдс, структур, содержащих нанокластеры.
Подобные документы
Решение проблемы увеличения разрешающей способности микроскопов без разрушения или изменения исследуемого образца. История появления зондовой микроскопии. Атомно-силовой микроскоп и его конструктивные составляющие, обработка полученной информации.
реферат, добавлен 19.12.2015Создание атомного силового микроскопа, принцип действия, преимущества и недостатки. Методы атомно-силовой микроскопии. Технические возможности атомного силового микроскопа. Применение атомно-силовой микроскопии для описания деформаций полимерных пленок.
курсовая работа, добавлен 14.11.2012Общие сведения об атомно-силовой микроскопии, принцип работы кантилевера. Режимы работы атомно-силового микроскопа: контактный, бесконтактный и полуконтактный. Использование микроскопа для изучения материалов и процессов с нанометровым разрешением.
реферат, добавлен 09.04.2018Система изготовления острий (зондов). СТМ для сканирующих туннельных микроскопов как прецизионный инструмент для изготовления острий (зондов) из вольфрамовой проволоки методом электрохимического травления. Конструкция СТМ, режимы и порядок работы.
презентация, добавлен 19.02.2016Электронно-микроскопический метод исследования. Физические основы растровой электронной микроскопии. Схема растрового электронного микроскопа, назначение его узлов и их функционирование. Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним.
курсовая работа, добавлен 04.05.2011Ознакомление с устройством и принципом работы просвечивающего электронного микроскопа; основные области его применения и современные разновидности. Рассмотрение конструкции осветительной системы прибора. Описание процедуры коррекции астигматизма.
курсовая работа, добавлен 09.05.2011Устройство микроскопа, история его разработок и тенденции к совершенствованию. Разрешающая способность микроскопов. Особенности оптических, электронных, сканирующих зондовых, рентгеновских, дифференциальных интерференционно-контрастных микроскопов.
презентация, добавлен 06.02.2014Общие характеристики перезаряжаемых источников электрического тока. Конденсаторы с двойным электрическим слоем. Конструкция экспериментальных образцов ионисторов, технология их изготовления. Сравнительная характеристика экспериментальных образцов.
дипломная работа, добавлен 21.06.2012Знакомство с устройством и работой растрового электронного микроскопа, измерение размеров частиц порошка алюминия с примесью карбида тантала, анализ полученных данных. Получение снимков и статистическая обработка данных. Изучение калибровочного снимка.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2015Исследование физических и химических свойств наноразмерных структур, разработка методов по изучению их синтеза. Критерии эффективного внедрения нанотехнологий в промышленность. Сущность и особенности использования метода электрической эрозии в жидкости.
реферат, добавлен 24.06.2010Измерение показателя преломления для плоско-параллельной пластинки. Измерение показателя преломления трехгранной призмы с помощью 4-х иголок. Изучение светопропускающих качеств разных материалов с помощью фотоэлемента. Определение увеличения микроскопа.
методичка, добавлен 22.06.2015Разработка радиоизотопных, кремниевых источников питания. Изучение двух ступенчатых преобразователей. Описание различных полупроводниковых материалов для бетавольтаических преобразователей. Анализ энергии потерь электронов в полупроводниковой структуре.
дипломная работа, добавлен 19.05.2015Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов. Сканирующие элементы, защита зондовых микроскопов от внешних воздействий. Стабилизация термодрейфа положения зонда над поверхностью. Формирование и обработка изображений. Атомно-силовая микроскопия.
курсовая работа, добавлен 17.12.2014Атомный и молекулярный спектральный анализ. Оптическая спектроскопия. Лазерное сканирование полупроводниковых пластин с последующим спектральным анализом люминесцентного излучения. Спектральные приборы и их принципиальная схема. Дифракционная решётка.
реферат, добавлен 15.01.2009Электропроводность композитных материалов на основе гетерогенных ионообменных мембран с наноразмерными включениями металлов. Синтез наноразмерных частиц серебра, кобальта и палладия в матрице гетерогенных мембран с помощью химического восстановителя.
дипломная работа, добавлен 21.04.2016Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.
контрольная работа, добавлен 28.10.2014Проблема зависимости цитотоксических свойств наночастиц от их кристаллической структуры. Изучение степени воздействия наночастиц на клеточную мембрану методом атомно-силовой спектроскопии. Качественное взаимодействие наночастиц TiO2 и эритроцитов.
курсовая работа, добавлен 13.06.2013Спектральные характеристики излучения разных видов производимых ламп – источников света. Принцип действия, срок службы стандартных ламп накаливания, галогеновых, люминисцентных, разрядных ламп высокого давления, светодиодов. Оценка новых разработок.
реферат, добавлен 04.03.2012Исследование и оценка фотовольтаического эффекта в неоднородной области пленки силицида титана. Обнаружение сигналов фотопроводимости и фотоЭДС. Колоколообразный вид зависимости фотоЭДС от толщины слоя. Модель приповерхностной области кристалла.
статья, добавлен 22.06.2015Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 18.09.2015Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа, добавлен 28.03.2016Теоретические основы сканирующей зондовой микроскопии. Схемы сканирующих туннельных микроскопов. Атомно-силовая и ближнепольная оптическая микроскопия. Исследования поверхности кремния с использованием сканирующего зондового микроскопа NanoEducator.
дипломная работа, добавлен 16.08.2014Определение параметров силового полупроводникового ключа. Характеристики ключей и режим работы схемы. Расчет предельных характеристик полупроводниковых ключей. Исследование процесса формирования потерь в силовых ключах. Допустимые режимы работы ключей.
конспект урока, добавлен 26.03.2019Прямоугольный потенциальный барьер. Туннельный эффект как квантовый переход системы через область движения, запрещённую классической механикой. Кажущаяся парадоксальность данного эффекта. Вырывание электронов из металла. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 26.02.2010Взаимодействие зонда и исследуемой поверхности с использованием обратной связи. Методы постоянного туннельного тока и постоянной высоты для получения изображения рельефа поверхности. Принципы атомно-силовой оптической и магнитно-силовой микроскопии.
реферат, добавлен 18.04.2016