Вплив легування цинком на властивості МОН-структур
Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
Подобные документы
Основні характеристики, термінологія, види, системи одиниць і методи вимірювання. Класифікація і характеристика вимірювальних приладів. Практичні аспекти при виконанні робіт, зміст та визначення похибки вимірювання, класи точності вимірювальної техніки.
реферат, добавлен 28.03.2009Розвиток атомістики: розкриття таємниці атома та вплив атомістики на подальший розвиток природознавчих галузей. Дослідження складової матерії. Наукові дослідження природних процесів: еволюція повітроплавання; радіо та телеграф; зародження генетики.
контрольная работа, добавлен 25.12.2008Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Сутність та характерні властивості гіроскопа. Характеристика і принцип дії гірокомпаса Фуко та гіростабілізатора. Гіроскопи в науці. Використання гіроскопа в смартфонах та ігрових приставках. Перспективним є напрям розвитку квантових гіроскопів.
реферат, добавлен 24.01.2011Класичний метод дослідження динаміки систем автоматичного управління. Аналіз САУ в просторі станів. Методи обчислення перехідної матриці. Стійкість багатовимірних систем. Керованість, спостережуваність. Модальне управління. Оптимізація зворотного зв’язку.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Хвороби та ушкодження, спричинені неправильним користуванням мобільним телефоном. Вплив електро-магнітного поля на організм людини. Основні законодавчі стандарти безпеки мобільного зв'язку. Рекомендації по вибору і експлуатації мобільного пристрою.
реферат, добавлен 28.05.2015Історія та походження назви золота, його хімічні властивості. Поширення в природі золота, його одержання, переваги, використання в промисловості. Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014Визначення кількості бітів, які виділяються для секційного заголовка STM-1, у тому числі заголовків мультиплексної та регенераційної секцій. Регенераційна та мультиплексна секції у лінії передачі ЦСП–SDH. Передача сигналу циклової синхронізації.
лабораторная работа, добавлен 06.11.2016Поняття та властивості зовнішнього інтегралу. Математичні сподівання випадкової величини. Припущення монотонності. Аналіз основних задач послідовної оптимізації, що становлять практичний інтерес. Детерміноване оптимальне керування, його функції.
реферат, добавлен 25.11.2010Вибір джерела живлення залежно від призначення підсилювача і необхідної вихідної потужності (напруга сигналу при навантаженні). Живлення ланцюгів транзистора. Властивості каскадів при різних ввімкненнях. Розрахунок амплітудно-частотних характеристик схем.
курсовая работа, добавлен 24.02.2010- 61. Проблеми автоматизації схемотехничного проектування нелінійних вузлів радіоелектронної апаратури
Специфічні властивості, притаманні нелінійним вузлам радіоелектронної апаратури. Поняття "опрацьована схема", причетного до довільного вузла РЕА. Загальні уявлення про опрацьовану схему. Задачі, які необхідно вирішувати при схемотехнічному проектуванні.
реферат, добавлен 05.01.2011 Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа, добавлен 18.10.2009Радиолокация с использованием сигналов без несущей. Решение двумерной и трехмерной задач рассеяния для импедансного рефлектора сверхширокополосного видеоимпульса. Исследование частотных свойств реальных ребристых структур. Ожидаемый экономический эффект.
дипломная работа, добавлен 25.10.2011Характеристика структур систем мікропроцесорної централізації, їх порівняний аналіз. Розробка структурної схеми та оцінка її функціональних можливостей, сфери використання. Розробка схем включення обладнання. Розрахунок модулів введення-виведення.
курсовая работа, добавлен 17.03.2015Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах.
реферат, добавлен 12.06.2009Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.
курсовая работа, добавлен 03.03.2011Вимоги до вибору коду лінійного сигналу волоконно-оптичного сигналоприймача, їх види, значення та недоліки. Сутність скремблювання цифрового сигналу. Специфіка блокових кодів. Їх переваги, використання, оцінки та порівняння. Властивості лінійних кодів.
контрольная работа, добавлен 26.12.2010История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат, добавлен 30.05.2014Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.
реферат, добавлен 20.10.2014Основные этапы интеграции отдельных физико-конструктивных элементов преобразователей. Интегральные тензопреобразователи на основе гетероэпитаксиальных структур "кремний на сапфире". Параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
дипломная работа, добавлен 29.04.2015Обобщенная структура перестраиваемых ARC-схем. Описание их модели матрично-векторной системой уравнений. Особенности их динамического диапазона и частотных свойств, расчет параметров. Общая характеристика процедуры синтеза интеграторных структур.
курсовая работа, добавлен 05.03.2011Операторне зображення детермінованих сигналів. Взаємозв’язок між зображенням Лапласа та спектральною функцією сигналу. Властивості спектрів детермінованих сигналів. Поняття векторного зображення. Застосування векторного зображення сигналів у радіотехніці.
реферат, добавлен 16.01.2011Шляхи забезпечення захисту мовної інформації в каналі зв'язку, сучасні методи криптографічного захисту. Аналіз організації інформаційного обміну по мережах зв'язку загального користування. Основні методи перетворення мовного сигналу і їх взаємозв'язок.
контрольная работа, добавлен 13.10.2010Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа, добавлен 30.04.2011Склад мікропроцесорного комплекту К 1810, основні електричні параметри БІС, які входять до нього. Основні характеристики центрального процесора. Застосування контролерів шини, переривань, динамічної пам’яті та інтервального таймера у складі мікросхеми.
курсовая работа, добавлен 18.09.2014