Светодиоды, их основные параметры и характеристики
Светодиод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока: история создания, виды, классификация. Устройство светодиодных световых приборов, область применения.
Подобные документы
Метрологические характеристики, контролируемые при поверке электронно-счетных частотомеров. Средства, методы и схемы поверки. Определение относительной погрешности по частоте опорного кварцевого генератора. Поверка электронно-лучевых осциллографов.
реферат, добавлен 09.02.2009Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа, добавлен 24.06.2015История развития и становления радиопередающих устройств, основные проблемы в их работе. Обобщенная структурная схема современного радиопередатчика. Классификация радиопередатчиков по разным признакам, диапазон частот как одна из характеристик приборов.
реферат, добавлен 29.04.2011Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат, добавлен 03.02.2011Структура оптического волокна. Устройство световода. Одномодовое и многомодовое волокна. Режимы прохождения луча. Источники и приемники излучения. Оптический модулятор, работающий на эффекте Керра и эффекте Поккельса. Расчет модовой дисперсии оптоволокна.
курсовая работа, добавлен 25.09.2011Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Транзистор как электронный полупроводниковый усилительный прибор, предназначенный для усиления сигналов. Знакомство с особенностями и сферами применения полевых и биполярных транзисторов. Общая характеристика схем включения биполярного транзистора.
реферат, добавлен 21.05.2016Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Передающие оптоэлектронные модули, их применение. Построение зависимости выходной мощности источника оптического излучения от величины электрического тока. Определение зависимости чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения.
контрольная работа, добавлен 05.05.2014Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Понятие и принцип работы датчиков, их назначение и функции. Классификация и разновидности датчиков, сферы и возможности их применения. Сущность и основные свойства регуляторов. Особенности использования и параметры усилителей, исполнительных устройств.
реферат, добавлен 28.03.2010Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат, добавлен 29.06.2015Сущность назначения измерительных приборов, их основные виды. Понятие чувствительности и класса точности средств измерений, порядок отсчета величин. Особенности принципа работы амперметра, вольтметра, ваттметра, осциллографа и анализатора спектра частот.
реферат, добавлен 02.05.2012Основные характеристики импульса. Генераторы линейно изменяющегося (пилообразного) напряжения, их назначение и область применения. Методы линеаризации пилообразного напряжения. Требования к устройству. Основные характеристики и принцип построения ГПН.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Рассмотрение сервисных функций мультиметра: измерение емкости и индуктивности, температуры, частоты; прозвонка; проверка полупроводниковых приборов и генерация простого тестового сигнала. Функциональная схема цифрового мультиметра АЦП серии 7106.
реферат, добавлен 08.05.2013Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа, добавлен 19.02.2012- 92. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Общая характеристика, основные параметры и схематическое изображение электронно-лучевых трубок. Осциллографические электронные трубки. Передающие телевизионные трубки с накоплением зарядов: иконоскоп, супериконоскоп, ортикон, суперортикон, видикон.
реферат, добавлен 29.05.2010Принципиальная схема усилителя-формирователя и блока питания, параметры их элементов. Основные виды фоторезисторов. Вид статической характеристики усилителя формирователя. Принципиальная схема моста постоянного тока с терморезистором и фоторезистором.
курсовая работа, добавлен 26.01.2010Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009История создания электронной лампы. Принципы устройств и работы электровакуумных приборов. Назначение и применение диодов и триодов. Основные виды электронной эмиссии. Физические процессы и токораспределение в триодах. Построение характеристик ламп в EWB.
курсовая работа, добавлен 15.12.2010Особенности применения дросселей переменного тока для конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Назначение дросселей. Параметры и примеры типовых конструкций. Эквивалентная схема дросселя высокой частоты. Магнитопроводы дросселей. Нагрев и охлаждение.
реферат, добавлен 14.01.2017Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция, добавлен 19.11.2008Оценка возможностей прямого измерения распределения ядерных частиц по энергиям, условия применения для этих целей полупроводникового гамма-спектрометра. Устройство и принцип действия спектрометра, его основные составные части. Аппаратурная форма линии.
курсовая работа, добавлен 12.05.2010Медико-биологическое обоснование устройства для прогнозирования динамики воспалительного процесса. История создания импедансометрии. Показания и противопоказания проектируемого прибора. Расчет электрических печатных плат и помехоустойчивости прибора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2014